[發明專利]反應腔室及半導體工藝設備

在審

• 申請號: 202110837490.0
• 申請日: 2021-07-23
• 公開（公告）號: CN115679277A
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 王世如;楊玉杰;董彥超;傅新宇
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/50;C23C14/54
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 周永強

1.一種反應腔室，用于磁控濺射工藝的半導體工藝設備中，其特征在于，包括：

腔室主體(100)；

基座(200)，所述基座(200)可旋轉地設置于所述腔室主體(100)內，所述基座(200)用于承載晶片；

誘導磁組(300)，所述誘導磁組(300)設置于所述基座(200)外側，且所述誘導磁組(300)與所述基座(200)同步旋轉，用于在所述晶片上形成平行于所述晶片的誘導磁場；

所述誘導磁組(300)和所述基座(200)的自轉速度與所述半導體工藝設備中的磁控裝置(800)的旋轉速度相同。

2.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述反應腔室還包括轉接環(400)，所述轉接環(400)固定于所述基座(200)上，所述誘導磁組(300)設置于所述轉接環(400)的頂面上，所述誘導磁組(300)在所述晶片的上下兩側形成對稱的所述誘導磁場。

3.根據權利要求2所述的反應腔室，其特征在于，所述轉接環(400)包括沉積環(410)和覆蓋環(420)，所述沉積環(410)固定于所述基座(200)上，所述覆蓋環(420)與所述沉積環(410)連接，所述誘導磁組(300)環繞設置于所述覆蓋環(420)上。

4.根據權利要求3所述的反應腔室，其特征在于，所述覆蓋環(420)包括平行設置的第一環(421)和第二環(422)，以及連接于第一環(421)和第二環(422)之間的連接環(630)，所述第一環(421)和所述第二環(422)分別位于所述連接環(630)的相背的兩側；

所述第一環(421)和所述沉積環(410)疊置于所述基座(200)上，所述第二環(422)環繞所述基座(200)設置，所述第二環(422)相對所述基座(200)的頂面的高度低于所述第一環(421)相對于所述基座(200)的頂面的高度，所述誘導磁組(300)設置于所述第二環(422)上。

5.根據權利要求4所述的反應腔室，其特征在于，所述第一環(421)設有凸起結構(424)，所述沉積環(410)上設有凹槽結構(411)，所述凸起結構(424)嵌設于所述凹槽結構(411)中，以使所述沉積環(410)與所述覆蓋環(420)相互連接。

6.根據權利要求3所述的反應腔室，其特征在于，所述基座(200)的邊緣區域設有凹陷槽(210)，所述凹陷槽(210)的底面設有固定孔，所述沉積環(410)通過相互配合的緊固件(500)和所述固定孔固定于所述凹陷槽(210)內。

7.根據權利要求4所述的反應腔室，其特征在于，所述反應腔室還包括內襯組件(600)，所述內襯組件(600)的一端固定于所述腔室主體(100)的內側，另一端延伸至所述連接環(423)和所述基座(200)之間的徑向縫隙中。

8.根據權利要求7所述的反應腔室，其特征在于，所述內襯組件(600)包括下內襯(610)，所述下內襯(610)包括依次連接的外壁(611)、底壁(612)和內壁(613)，所述外壁(611)和所述內壁(613)垂直設置于所述底壁(612)的兩側，所述外壁(611)遠離所述底壁(612)的一端與所述腔室主體(100)連接，所述底壁(612)位于所述第二環(422)的下方，所述內壁(613)位于所述徑向縫隙中。

9.根據權利要求8所述的反應腔室，其特征在于，所述內襯組件(600)還包括：上內襯(620)，所述上內襯(620)的一端與所述腔室主體(100)連接，所述上內襯(620)至少部分向所述下內襯(610)的環繞區域延伸，且延伸至所述誘導磁組(300)上方的預定位置處。