[發明專利]中心對稱SiC基GaN肖特基二極管

在審

• 申請號: 202110836305.6
• 申請日: 2021-07-23
• 公開（公告）號: CN113451418A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 王俊龍;陳海森
• 申請（專利權）人: 深圳市電科智能科技有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L23/49
• 代理公司: 河北冀華知識產權代理有限公司 13151
• 代理人: 王占華

1.一種中心對稱SiC基GaN肖特基二極管，其特征在于：包括位于中間的第一焊盤（10）以及位于第一焊盤（10）兩側的第二焊盤（11），其中所述第一焊盤（10）與左側的第二焊盤（11）之間形成有一個肖特基二極管結，所述第一焊盤（10）與右側的第二焊盤（11）之間形成有一個肖特基二極管結，所述第一焊盤的上表面的中心形成有一條外端懸空的梁式引線（9），所述梁式引線（9）的懸空部分的長度相等；

所述肖特基二極管結包括半絕緣SiC襯底層（5），所述半絕緣SiC襯底層（5）的上表面形成有AlN緩沖層（12），所述AlN緩沖層（12）的上表面形成有半絕緣GaN層（13），所述半絕緣GaN層（13）上表面的中部形成有鈍化層（1），所述鈍化層（1）的左右兩側分別形成有重摻雜GaN層（6），左右兩側的所述重摻雜GaN層（6）上內嵌有歐姆接觸金屬層（3），所述歐姆接觸金屬層（3）的上表面高于所述重摻雜GaN層（6）的上表面，且所述歐姆接觸金屬層（3）的面積小于相應側的重摻雜GaN層（6）的面積，不具有歐姆接觸金屬層（3）的重摻雜GaN層（6）的上表面形成有低摻雜GaN層（7），所述低摻雜GaN層（7）的高度高于所述歐姆接觸金屬層（3）的高度，所述歐姆接觸金屬層（3）的的上表面形成有金屬加厚層（4），所述低摻雜GaN層（7）的上表面形成有二氧化硅層（2），且左側的二氧化硅層（2）上內嵌有肖特基接觸金屬層（8），且所述肖特基接觸金屬層（8）與所述低摻雜GaN層（7）相接觸，所述金屬加厚層（4）的高度高于所述二氧化硅層（2）的高度，右側的金屬加厚層（4）通過金屬空氣橋（9）與所述肖特基接觸金屬層（8）連接。

2.如權利要求1所述的中心對稱SiC基GaN肖特基二極管，其特征在于：所述梁式引線位于左側的金屬加厚層（4）的上表面上。

3.如權利要求1所述的中心對稱SiC基GaN肖特基二極管，其特征在于：所述鈍化層（1）為二氧化硅、氮化硅或金剛石。

4.如權利要求1所述的中心對稱SiC基GaN肖特基二極管，其特征在于：所述歐姆接觸金屬層（3）自下而上為Ti層、Al層Ni層和Au層。

5.如權利要求1所述的中心對稱SiC基GaN肖特基二極管，其特征在于：所述金屬加厚層（4）的成分為Au。

6.如權利要求1所述的中心對稱SiC基GaN肖特基二極管，其特征在于：所述肖特基接觸金屬層（8）自下而上為Ti層、Pt層和Au層。