[發(fā)明專利]抑制由含釕液體產(chǎn)生含釕氣體的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110835309.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-07-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114000151A | 公開(公告)日: | 2022-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 佐藤伴光;佐藤冬樹;根岸貴幸 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社德山 |
| 主分類號(hào): | C23F1/38 | 分類號(hào): | C23F1/38;H01L21/3213 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 抑制 液體 產(chǎn)生 氣體 方法 | ||
1.一種抑制RuO4氣體產(chǎn)生的方法,其包括在含釕液體中添加RuO4氣體的產(chǎn)生抑制劑的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,通過所述抑制劑的添加,使所述含釕液體中的含釕化合物還原。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,通過所述抑制劑的添加,使所述含釕液體的氧化還原電位降低。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的方法,其中,所述RuO4氣體的產(chǎn)生抑制劑為還原劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的方法,其中,所述RuO4氣體的產(chǎn)生抑制劑為堿性化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中,包含所述堿性化合物的含釕液體的pH為12以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中,所述堿性化合物為氫氧化鈉、氫氧化鉀、四烷基氫氧化銨、膽堿或氨。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中,所述還原劑為過氧化氫或硫酸鹽類。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,所述硫酸鹽類為硫代硫酸鈉或亞硫酸鈉。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的方法,其中,添加有所述抑制劑的含釕液體的氧化還原電位為600mV以下。
11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中,所述還原劑向含釕液體的添加量相對(duì)于還原對(duì)象物質(zhì)為0.1摩爾當(dāng)量以上且100摩爾當(dāng)量以下。
12.一種RuO4氣體的產(chǎn)生抑制劑,其是包含還原劑和堿性化合物中的至少一者而成的。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的RuO4氣體的產(chǎn)生抑制劑,其中,所述還原劑為過氧化氫、硫代硫酸鈉或亞硫酸鈉。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的RuO4氣體的產(chǎn)生抑制劑,其中,所述堿性化合物為氫氧化鈉、氫氧化鉀、四烷基氫氧化銨、膽堿或氨。
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