[發明專利]發光元件及該發光元件的制造方法

在審

• 申請號: 202110832123.1
• 申請日: 2019-07-09
• 公開（公告）號: CN113555478A
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 閔大泓;尹俊皓;郭雨澈;許珍又;白龍賢
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/24;H01L33/10;H01L33/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 李盛泉;孫昌浩

1.一種發光元件，包括：

基板；

多個突出圖案，包括第一層和第二層，所述第一層與所述基板形成為不分離的一體，并從所述基板的表面突出，所述第二層設置于所述第一層上，并利用與所述第一層不同的材料構成；及

發光層疊體，設置于所述基板上并射出光，

其中，所述第一層包括上表面和連接所述基板表面和所述上表面的側面，所述第一層的上表面具有粗糙面。

2.如權利要求1所述的發光元件，其中，

所述第一層的上表面的粗糙面的粗糙度均方根偏差Rq是0.300nm至0.550nm，粗糙度算數平均偏差Ra是0.250nm至0.400nm。

3.如權利要求1所述的發光元件，其中，

所述發光層疊體包括：

第一半導體層，設置于所述基板上，并覆蓋所述突出圖案；

活性層，設置于所述第一半導體層上；及

第二半導體層，設置于所述活性層上，

其中，從所述活性層射出的光經過所述第一半導體層朝所述基板方向行進。

4.如權利要求3所述的發光元件，其中，

所述第一層的折射率大于所述第二層的折射率。

5.如權利要求4所述的發光元件，其中，

所述第一層的折射率是1.6至2.45，所述第二層的折射率是1.3至2.0。

6.如權利要求4所述的發光元件，其中，

所述第一層及所述第二層的折射率小于所述第一半導體層的折射率。

7.如權利要求6所述的發光元件，其中，

所述第一半導體層的折射率是2.0至2.5。

8.如權利要求1所述的發光元件，其中，

所述基板在沒有設置所述突出圖案的區域具有粗糙面。

9.如權利要求1所述的發光元件，其中，

所述側面是反射從所述第一半導體層朝所述側面方向行進的光的90％以上的光的反射面。

10.一種發光元件制造方法，作為制造如權利要求1至權利要求9中任意一項所述的發光元件的制造方法，包括如下步驟：

準備基板；

在所述基板的上表面形成粗糙面；

在所述基板上以具有與所述基板不同折射率的材料形成絕緣層；

在所述基板上形成光致抗蝕劑，并利用光刻將光致抗蝕劑圖案化；

將所述光致抗蝕劑回流；

通過將述光致抗蝕劑作為掩膜而蝕刻所述絕緣層和所述基板；

在所述基板上形成發光層疊體。

11.如權利要求10所述的發光元件制造方法，其中，

所述粗糙面借由濕式蝕刻、干式蝕刻及研磨中至少一個而形成。

12.如權利要求10所述的發光元件制造方法，其中，

所述絕緣層和所述基板被蝕刻的步驟利用各向異性而執行。