[發明專利]一種降低納米銀線導電膜蝕刻痕的方法

在審

• 申請號: 202110831285.3
• 申請日: 2021-07-22
• 公開（公告）號: CN113488287A
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 殷志豪;徐林;彭穎杰
• 申請（專利權）人: 蘇州諾菲納米科技有限公司
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00
• 代理公司: 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257
• 代理人: 蘇張林

1.一種降低納米銀線導電膜蝕刻痕的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟(1)：制備導電材料墨水；

步驟(2)：將導電材料墨水涂覆在基底表面形成導電層；

步驟(3)：在導電層表面涂覆保護層制備得到納米銀線導電膜；

步驟(4)：根據預設圖案對納米銀線導電膜進行刻蝕；

所述導電材料由納米銀線及難被刻蝕的金屬單質和/或金屬復合物組成；所述難被刻蝕的金屬單質和/或金屬復合物在導電材料中的質量占比為10％～50％。

2.根據權利要求1所述的一種降低納米銀線導電膜蝕刻痕的方法，其特征在于，所述納米銀線的長度為1～100μm，直徑為10～30nm。

3.根據權利要求1所述的一種降低納米銀線導電膜蝕刻痕的方法，其特征在于，所述難被刻蝕的金屬單質為金屬棒、金屬顆?；蚪饘偌{米片；所述難被刻蝕的金屬復合物為鈍化的金屬納米材料或金屬包覆的納米材料。

4.根據權利要求3所述的一種降低納米銀線導電膜蝕刻痕的方法，其特征在于，所述金屬棒的長度為1～100μm，直徑為50nm～5μm。

5.根據權利要求3所述的一種降低納米銀線導電膜蝕刻痕的方法，其特征在于，所述金屬顆粒的直徑為50nm～5μm。

6.根據權利要求3所述的一種降低納米銀線導電膜蝕刻痕的方法，其特征在于，所述鈍化的金屬納米材料為金屬鈍化納米材料及有機鈍化納米材料；所述金屬鈍化納米材料為金包銀線、鉑包銀線、銀包銅線或金包銅線；所述有機鈍化納米材料通過有機試劑處理納米銀線得到；所述有機試劑為苯并三氮唑、苯并咪唑、十二烷基硫醇、十八烷基硫醇中的一種或多種。

7.根據權利要求3所述的一種降低納米銀線導電膜蝕刻痕的方法，其特征在于，所述金屬包覆的納米材料中納米材料為石墨烯、碳納米管或碳納米纖維。

8.根據權利要求3所述的一種降低納米銀線導電膜蝕刻痕的方法，其特征在于，所述金屬棒、金屬顆粒、金屬納米片及金屬包覆的納米材料中的金屬為銀、銅、鎳、鉑和金中的一種。

9.根據權利要求1所述的一種降低納米銀線導電膜蝕刻痕的方法，其特征在于，所述刻蝕的方法為激光刻蝕、蝕刻膏刻蝕、黃光刻蝕中的一種；所述蝕刻膏刻蝕具體為：將蝕刻膏印刷在導電膜上，進行烘烤，烘烤后水洗；所述烘烤的溫度為80～150℃；所述烘烤的時間為10～60min。

10.根據權利要求9所述的一種降低納米銀線導電膜蝕刻痕的方法，其特征在于，所述刻蝕的寬度20～300μm。