[發明專利]包括過硅通孔結構的半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202110829305.3
• 申請日: 2021-07-22
• 公開（公告）號: CN114649300A
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 蔡正龍;趙珍嬉
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種半導體裝置，該半導體裝置包括：

通路孔，所述通路孔形成為穿透基板；

第一電極，所述第一電極包括形成在所述通路孔的表面上的電極段；

第二電極，所述第二電極沿著所述通路孔的表面形成在所述第一電極上，所述第二電極包括被放置在所述基板的表面下方的兩端；以及

第一保護絕緣層，所述第一保護絕緣層沿著所述通路孔的表面形成在所述第二電極上，所述第一保護絕緣層包括從所述第二電極的兩端向上突出的兩端。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括第二保護絕緣層，所述第二保護絕緣層覆蓋所述第二電極的由所述第一電極和所述第一保護絕緣層暴露的兩端。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述第一保護絕緣層和所述第二保護絕緣層包括不同的非金屬絕緣材料。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括覆蓋所述基板并填充所述通路孔的封蓋層。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第二電極的由所述第一電極和所述第一保護絕緣層暴露的兩端具有與所述基板的表面平行的平坦表面。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一保護絕緣層包括在I線光刻工藝中具有25％至35％的反射率的材料。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一保護絕緣層包括氮氧化硅SiON。

8.一種半導體裝置，該半導體裝置包括：

層疊結構，所述層疊結構包括下部結構和上部結構，所述下部結構包括下部基板、設置在所述下部基板上的下部絕緣中間層和設置在所述下部絕緣中間層中的下部電路，所述下部電路包括下部通孔焊盤，并且所述上部結構包括上部基板、設置在所述上部基板上的上部絕緣中間層和設置在所述上部絕緣中間層中的上部電路；

通路孔，所述通路孔被設置為穿透所述層疊結構以暴露所述下部通孔焊盤；

第一電極，所述第一電極包括形成在所述通路孔的表面上的電極段；

第二電極，所述第二電極沿著所述通路孔的表面形成在所述第一電極上，所述第二電極包括被放置在所述上部基板的表面下方的兩端；以及

第一保護絕緣層，所述第一保護絕緣層沿著所述通路孔的表面形成在所述第二電極上，所述第一保護絕緣層包括從所述第二電極的所述兩端向上突出的兩端。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括第二保護絕緣層，所述第二保護絕緣層覆蓋所述第二電極的由所述第一電極和所述第一保護絕緣層暴露的兩端。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，所述第一保護絕緣層和所述第二保護絕緣層包括不同的非金屬絕緣材料。

11.根據權利要求8所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括封蓋層，所述封蓋層覆蓋所述層疊結構并填充所述通路孔。

12.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述第二電極的由所述第一電極和所述第一保護絕緣層暴露的兩端具有與所述基板的表面平行的平坦表面。

13.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述第一保護絕緣層包括在I線光刻工藝中具有25％至35％的反射率的材料。

14.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述第一保護絕緣層包括氮氧化硅SiON。