[發(fā)明專利]憶阻器及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110825496.6
• 申請(qǐng)日: 2021-07-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113555502A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮雪;孟艷芳;馬寅佶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會(huì)華

1.一種憶阻器，其特征在于，

所述憶阻器包括第一銀線(1)、第二銀線(2)和絕緣層(3)，所述絕緣層(3)為氧化銀，所述絕緣層(3)被夾在所述第一銀線(1)和所述第二銀線(2)之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的憶阻器，其特征在于，

所述絕緣層(3)設(shè)置在所述第一銀線(1)和所述第二銀線(2)的其中一者的周面上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的憶阻器，其特征在于，

所述絕緣層(3)設(shè)置在所述第一銀線(1)和所述第二銀線(2)的交叉位置處。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的憶阻器，其特征在于，

所述第一銀線(1)和所述第二銀線(2)的周面上都設(shè)置有所述絕緣層(3)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的憶阻器，其特征在于，

所述憶阻器包括多根所述第一銀線(1)和多根所述第二銀線(2)，多根所述第一銀線(1)和多根所述第二銀線(2)被設(shè)置成橫縱編織的憶阻器陣列。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的憶阻器，其特征在于，

所述第一銀線(1)和所述第二銀線(2)的長(zhǎng)度為3～5厘米，直徑為10～20微米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的憶阻器，其特征在于，

所述絕緣層(3)的厚度為80～200納米。

8.一種憶阻器的制備方法，其特征在于，所述憶阻器為權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的憶阻器，所述憶阻器的制備方法包括：

提供所述第一銀線(1)和所述第二銀線(2)；

對(duì)所述第一銀線(1)和/或所述第二銀線(2)進(jìn)行表面處理，得到所述絕緣層(3)；以及

將所述第一銀線(1)和所述第二銀線(2)疊放，形成依次排列的所述第一銀線(1)、所述絕緣層(3)、所述第二銀線(2)結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，

所述第一銀線(1)和/或所述第二銀線(2)進(jìn)行表面處理的方法為等離子體表面處理或紫外臭氧表面處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，

在所述等離子體表面處理的過(guò)程中，用到的氧氣的流量被控制在30～90標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘，等離子體設(shè)備的功率被控制在50～200瓦，等離子體表面處理時(shí)間被控制在1～3秒，

在所述紫外臭氧表面處理的過(guò)程中，臭氧設(shè)備的功率被控制在50～200瓦，紫外臭氧表面處理的時(shí)間被控制在20～40分鐘。