[發(fā)明專利]充電輸入保護(hù)裝置及該裝置的充電過壓過溫保護(hù)方法

在審

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• 申請日: 2021-07-21
• 公開（公告）號: CN113541257A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 易麗蘭;李清輝
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳派特科技有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00;H02H7/18
• 代理公司: 深圳市鼎智專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44411
• 代理人: 張小晶

1.一種充電輸入保護(hù)裝置，包括充電器(S1)、能夠與所述充電器(S1)對插形成充電狀態(tài)的電子產(chǎn)品(S2)，所述電子產(chǎn)品(S2)的電路板上具有充電保護(hù)電路，其特征在于，該充電保護(hù)電路包括：

具有判定輸入電壓是否在預(yù)設(shè)電壓范圍的單片機(jī)控制單元(S6)，該單片機(jī)控制單元(S6)通過一輸入電壓正極開關(guān)單元(S4)接至充電輸入端口的輸入電壓正極且所述單片機(jī)控制單元(S6)能夠控制所述輸入電壓正極開關(guān)單元(S4)的通斷，所述單片機(jī)控制單元(S6)還通過一輸入電壓負(fù)極開關(guān)單元(S9)接至充電輸入端口的輸入電壓負(fù)極且所述單片機(jī)控制單元(S6)能夠控制所述輸入電壓負(fù)極開關(guān)單元(S9)的通斷；

輸入電壓采樣單元(S3)，所述輸入電壓采樣單元(S3)的采樣端子接至所述輸入電壓正極，其采樣電壓輸出端接至所述單片機(jī)控制單元(S6)，所述輸入電壓采樣單元(S3)用于對所述充電器(S1)連接到被充電子產(chǎn)品(S2)的輸入電壓進(jìn)入采樣，并將采集至的電壓送至所述單片機(jī)控制單元(S6)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種充電輸入保護(hù)裝置，其特征在于，所述充電輸入保護(hù)裝置還包括充電溫度檢測單元(S7)，所述充電溫度檢測單元(S7)的檢測端子接至所述充電輸入端口的輸入電壓正極，其輸出端接至所述單片機(jī)控制單元(S6)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種充電輸入保護(hù)裝置，其特征在于，所述充電輸入保護(hù)裝置還包括電連接至所述單片機(jī)控制單元(S6)的過壓過溫報警單元(S8)，所述單片機(jī)控制單元(S6)控制過壓過溫報警單元(S8)的通斷。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種充電輸入保護(hù)裝置，其特征在于，所述充電輸入保護(hù)裝置還包括充電管理單元(S5)，該電管理單元(S5)的兩個輸入端子分別電連接至所述單片機(jī)控制單元(S6)和所述輸入電壓正極開關(guān)單元(S4)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種充電輸入保護(hù)裝置，其特征在于，所述充電輸入端口的輸入電壓正極串聯(lián)有PMOS晶體管Q4且所述充電輸入端口的輸入電壓正極接至所述PMOS晶體管Q4的漏極D；

所述充電輸入端口的輸入電壓負(fù)極串聯(lián)有PMOS晶體管Q5且所述充電輸入端口的輸入電壓負(fù)極接至所述PMOS晶體管Q5的漏極D；

所述PMOS晶體管Q4的漏極D和所述PMOS晶體管Q5的漏極D之間連接有串聯(lián)的電阻R53和電阻R54，所述電阻R53和所述電阻R54之間的電路節(jié)點(diǎn)上連接至所述單片機(jī)控制單元(S6)的第一AD檢測口；

所述PMOS晶體管Q4的柵極G和所述PMOS晶體管Q5的柵極G分別電連接至所述單片機(jī)控制單元(S6)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種充電輸入保護(hù)裝置，其特征在于，所述PMOS晶體管Q4的漏極D和所述PMOS晶體管Q5的漏極D之間還連接有串聯(lián)的電阻R56和電阻R55，所述電阻R56和電阻R55之間的電路節(jié)點(diǎn)上連接至所述單片機(jī)控制單元(S6)的第二AD檢測口。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種充電輸入保護(hù)裝置，其特征在于，所述電阻R56為PTC正溫度系數(shù)電阻，該電阻R56設(shè)置于充電溫度敏感區(qū)域以感知該充電溫度敏感區(qū)域的溫度變化。