[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 202110822052.7
• 申請日: 2021-07-20
• 公開（公告）號: CN113506855A
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 劉明麗;吳勇
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 郭棟梁

本申請公開了一種有機電致發光器件及其制備方法、顯示裝置，其中，一種有機電致發光器件，包括發光層以及設置在所述發光層兩側的空穴阻擋層、電子阻擋層，所述發光層為主體材料、輔助材料以及熒光客體材料按一定比例混合的共混物，其中，主體材料的激發態能級小于電子阻擋層的激發態能級并且小于空穴阻擋層的激發態能級；所述輔助材料的激發態能級小于主體材料的激發態能級并且大于所述熒光客體材料的激發態能級。本申請實施例提供的通過調整發光層材料體系的搭配，實現主體材料到TADF材料再到客體材料之間的有效能量傳遞，實現激子能量高效傳遞，從而大大提高有機電致發光器件的發光效率，并從中實現具有各種優異性能的有機電致發光器件。

技術領域

本申請一般涉及顯示技術領域，具體涉及一種有機電致發光器件及其制備方法、顯示裝置。

背景技術

OLED顯示技術是繼CRT、LCD顯示的第三代顯示技術，因其低能耗、寬視角、響應速度快、清晰度高、超薄、柔性和自發光特性等優點，在照明和顯示等領域存在巨大的潛力，現已被廣泛應用于手機、電腦、電視、車載、智能可穿戴設備等領域。

OLED器件結構主要包括陽極、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子阻擋層(EBL)、發光層(EML)、空穴阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)、陰極。其中發光層是整個器件的核心，該層對器件的整體性能影響最為明顯，因此發光層本身材料體系的選取有著各種嚴格的規定。

發明內容

鑒于現有技術中的上述缺陷或不足，期望提供一種有機電致發光器件及其制備方法、顯示裝置，可以提高發光層的發光效率。

第一方面，本申請提供了一種有機電致發光器件，包括發光層以及設置在所述發光層兩側的空穴阻擋層、電子阻擋層，所述發光層為主體材料、輔助材料以及熒光客體材料按一定比例混合的共混物，其中，所述主體材料的激發態能級小于所述電子阻擋層的激發態能級并且小于所述空穴阻擋層的激發態能級；所述輔助材料的激發態能級小于所述主體材料的激發態能級并且大于所述熒光客體材料的激發態能級。

可選地，所述主體材料的S1能級所述輔助材料的S1能級所述熒光客體材料的S1能級，所述電子阻擋層的S1能級所述主體材料的S1能級，所述空穴阻擋層的S1能級所述主體材料的S1能級。

可選地，所述主體材料的T1能級所述輔助材料的T1能級所述熒光客體材料的T1能級，所述電子阻擋層的T1能級所述主體材料的T1能級，所述空穴阻擋層的T1能級所述主體材料的T1能級。

可選地，所述主體材料的發射光譜與所述輔助材料的吸收光譜重疊面積大于5％；所述輔助材料的發射光譜與所述熒光客體材料的吸收光譜重疊面積大于10％。

可選地，所述主體材料為n型材料，其電子遷移率大于10^-4，空穴遷移率小于10^-4。

可選地，所述主體材料選自mCBP，CBP，mCP，TCTA，DMQA，TPA中的一種或多種。

可選地，所述輔助材料為TADF，所述輔助材料的摻雜質量比小于50wt％。

可選地，所述輔助材料選自4CzIPN，4CzTPN中的一種或多種。

可選地，所述熒光客體材料在所述發光層中的摻雜質量比從所述空穴阻擋層的方向至所述電子阻擋層的方向呈現梯度上升分布。

可選地，所述熒光客體材料在所述發光層中靠近所述電子阻擋層界面的摻雜質量比為0.1wt％-0.5wt％。

可選地，所述熒光客體材料選自ADN、DPVBi中的一種或多種，所述熒光客體的摻雜比為0.1wt％～50wt％。

進一步地，還包括基板，所述基板上依次設置有第一電極、空穴注入層、空穴傳輸層、所述電子阻擋層、所述發光層、所述空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和第二電極。