[發(fā)明專利]射頻放大電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110821912.5 | 申請(qǐng)日： | 2021-07-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN114094957A | 公開（公告）日： | 2022-02-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 筒井孝幸;田中聰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社村田制作所 |
| 主分類號(hào)： | H03F3/19 | 分類號(hào)： | H03F3/19;H03F3/21;H03F1/30 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 趙琳琳 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 射頻 放大 電路 | ||
1.一種射頻放大電路，具備：
第1放大晶體管，對(duì)供給至基極的射頻信號(hào)進(jìn)行放大并輸出；
第1偏置用晶體管，與所述第1放大晶體管進(jìn)行電流鏡連接，對(duì)所述第1放大晶體管的基極供給偏置；
第2偏置用晶體管，與所述第1放大晶體管的基極進(jìn)行發(fā)射極跟隨連接，對(duì)所述第1放大晶體管的基極供給偏置；以及
第1電容器，具有與所述第1放大晶體管的基極連接的第1端和與所述第2偏置用晶體管的發(fā)射極連接的第2端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻放大電路，其中，還具備：
第1電阻元件，連接在所述第1偏置用晶體管的基極與所述第2偏置用晶體管的發(fā)射極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻放大電路，其中，
所述第1電阻元件的電阻值為30Ω以上且800Ω以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的射頻放大電路，其中，還具備：
放大器，連接在所述第1電容器的第1端與所述第1放大晶體管的基極之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的射頻放大電路，其中，還具備：
第2放大晶體管，對(duì)輸入到基極的射頻信號(hào)進(jìn)行放大并向所述第1放大晶體管的基極輸出；
第3偏置用晶體管，與所述第2放大晶體管進(jìn)行電流鏡連接，對(duì)所述第2放大晶體管的基極供給偏置；
第4偏置用晶體管，與所述第2放大晶體管的基極進(jìn)行發(fā)射極跟隨連接，對(duì)所述第2放大晶體管的基極供給偏置；以及
第2電容器，具有與所述第2放大晶體管的基極連接的第1端和與所述第4偏置用晶體管的發(fā)射極連接的第2端。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的射頻放大電路，其中，還具備：
第2電阻元件，連接在所述第3偏置用晶體管的基極與所述第4偏置用晶體管的發(fā)射極之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的射頻放大電路，其中，
所述第2電阻元件的電阻值為30Ω以上且800Ω以下。
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