[發明專利]狹縫組件及離子注入機臺

在審

• 申請號: 202110821872.4
• 申請日: 2021-07-19
• 公開（公告）號: CN113571401A
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 黃家明
• 申請（專利權）人: 廣州粵芯半導體技術有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/08;H01J37/32
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 羅磊

1.一種狹縫組件，用于實現離子束的分區調速，其特征在于，包括中心設置有狹縫的基板，所述基板包括至少兩個沿所述狹縫的開口方向呈直線排布的導電區，且相鄰的兩個導電分區之間設置有隔離區，所述狹縫橫跨所有的所述導電區。

2.如權利要求1所述的狹縫組件，其特征在于，不同的所述導電區受不同的電勢控制。

3.如權利要求1所述的狹縫組件，其特征在于，所述狹縫的形狀包括矩形。

4.如權利要求1所述的狹縫組件，其特征在于，所述導電區的材料包括石墨，所述隔離區的材料包括含氧化鋁或氧化鐵的樹脂或陶瓷。

5.如權利要求1所述的狹縫組件，其特征在于，所述隔離區的寬度為2～5mm。

6.一種離子注入機臺，其特征在于，包括離子發生組件、校正組件及如權利要求1～5中任一項所述的狹縫組件，其中，

所述離子發生組件用于產生離子束；

所述校正組件設置于所述離子發生組件的出口處，用于對所述離子束施加校正磁場，以形成帶狀離子束；

所述狹縫組件設置于所述校正組件的出口處，用于對所述帶狀離子束進行分區調速，以使所述帶狀離子束中同時產生的離子同時到達硅片的表面。

7.如權利要求5所述的離子注入機臺，其特征在于，所述狹縫組件的不同導電區受不同的電勢控制。

8.如權利要求7所述的離子注入機臺，其特征在于，不同的所述導電區分別接入電壓不同的電源，以使不同的所述導電區的電勢不同。

9.如權利要求5所述的離子注入機臺，其特征在于，所述離子發生組件和所述校準組件之間還設置有加速組件，用于加速所述離子束中的離子。

10.如權利要求5所述的離子注入機臺，其特征在于，所述狹縫組件和所述硅片之間還設置有法拉第杯，用于測量到達所述硅片表面的離子的數量。