[發(fā)明專利]一種場效應管、其制備方法及電子電路

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• 申請日: 2021-07-20
• 公開（公告）號: CN113725285A
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發(fā)明（設計）人: 包琦龍;蔣其夢;唐高飛;王漢星
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H01L29/40
• 分類號: H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335;H05K1/18
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 周云

1.一種場效應管，其特征在于，包括：溝道層、位于所述溝道層上方的源極、漏極和柵極結構；所述源極和所述漏極分別位于所述柵極結構的兩側；

所述場效應管還包括覆蓋所述柵極結構的鈍化層和位于所述鈍化層上的、且與所述源極電連接的場板；

所述鈍化層包括：覆蓋所述柵極結構的下介電層和位于所述下介電層上的一層或者疊層設置的多層上介電層；

所述一層或者疊層設置的多層上介電層位于所述柵極結構與所述漏極之間，且所述一層或者疊層設置的多層上介電層與覆蓋所述柵極結構側壁的所述下介電層之間具有凹槽；所述下介電層和與其相鄰的所述上介電層在相鄰面處的材料不相同；當所述鈍化層中的所述上介電層為多層時，任意相鄰兩個所述上介電層在相鄰面處的材料不相同，且距離所述溝道層越遠的所述上介電層，所述上介電層的面積越小，以使所述凹槽在靠近所述漏極一側的側壁呈臺階結構；

所述場板包括：與所述源極電連接的、且由所述源極向所述漏極方向延伸的第一延伸部以及由所述第一延伸部向所述溝道層方向延伸的、且填充于所述鈍化層的所述凹槽中的第二延伸部。

2.如權利要求1所述的場效應管，其特征在于，所述下介電層和與其相鄰的所述上介電層的材料不相同。

3.如權利要求2所述的場效應管，其特征在于，當所述鈍化層中的所述上介電層為多層時，相鄰的所述上介電層的材料不相同。

4.如權利要求3所述的場效應管，其特征在于，所述疊層設置的多層上介電層的材料均不同。

5.如權利要求4所述的場效應管，其特征在于，所述下介電層的材料與各所述上介電層的材料均不同。

6.如權利要求1所述的場效應管，其特征在于，所述下介電層包括第一下介電材料層和覆蓋所述第一下介電材料層的第二下介電材料層，且所述第一下介電材料層的材料與所述第二下介電材料層的材料不同。

7.如權利要求6所述的場效應管，其特征在于，所述下介電層中，所述第二下介電材料層的厚度小于所述第一下介電材料層的厚度。

8.如權利要求6或7所述的場效應管，其特征在于，當所述鈍化層中的所述上介電層為一層時，所述上介電層的材料與所述第一下介電材料層的材料相同。

9.如權利要求6或7所述的場效應管，其特征在于，當所述鈍化層中的所述上介電層為多層時，多層所述上介電層中除了最上層的所述上介電層，其余的所述上介電層中，至少有一層所述上介電層包括第一上介電材料層和覆蓋所述第一上介電材料層的第二上介電材料層；

同一所述上介電層中，所述第一上介電材料層的材料與所述第二上介電材料層的材料不同。

10.如權利要求9所述的場效應管，其特征在于，所述上介電層中，所述第二上介電材料層的厚度小于所述第一上介電材料層的厚度。

11.如權利要求9或10所述的場效應管，其特征在于，不同所述上介電層中的所述第一上介電材料層的材料相同；和/或不同所述上介電層中的所述第二上介電材料層的材料相同。

12.如權利要求11所述的場效應管，其特征在于，不同所述上介電層中的所述第一上介電材料層的材料均與所述下介電層中所述第一下介電材料層的材料相同；和/或，不同所述上介電層中的所述第二上介電材料層的材料均與所述下介電層中所述第二下介電材料層的材料相同。

13.如權利要求9-12任一項所述的場效應管，其特征在于，多層所述上介電層中的最上層的所述上介電層的材料與所述下介電層中的所述第一下介電材料層的材料相同。