[發(fā)明專利]利用離子分離抑制黑腔輻射源腔壁等離子體膨脹的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110817423.2 | 申請日： | 2021-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN113747644A | 公開（公告）日： | 2021-12-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 郭亮;李琦;潘凱強(qiáng);劉耀遠(yuǎn);趙航;龔韜;李志超;孫傳奎;謝旭飛;楊冬 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國工程物理研究院激光聚變研究中心 |
| 主分類號： | H05G2/00 | 分類號： | H05G2/00;C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214 | 代理人： | 吳彥峰 |
| 地址： | 621900 四川省綿*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 利用 離子 分離 抑制 輻射源 等離子體 膨脹 方法 | ||
1.利用離子分離抑制黑腔輻射源腔壁等離子體膨脹的方法，應(yīng)用于黑腔輻射源的腔壁和腔室，其特征在于，包括：
以高Z元素和低Z元素混合的固體復(fù)合材料構(gòu)造黑腔輻射源的腔壁，腔壁包括激光X光轉(zhuǎn)換層和離子分離層；且離子分離的復(fù)合涂層厚度大于等于300nm；
向黑腔的腔室內(nèi)部內(nèi)充入碳?xì)錃怏w并使氣壓小于等于0.3倍大氣壓；
采用1ns～30ns脈寬的激光驅(qū)動(dòng)黑腔形成冕區(qū)等離子體膨脹受限的輻射源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用離子分離抑制黑腔輻射源腔壁等離子體膨脹的方法，其特征在于：所述的固體復(fù)合材料包括金硼合金涂層的純金，其中以Au作為激光X光轉(zhuǎn)換層，以AuB作為離子分離層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用離子分離抑制黑腔輻射源腔壁等離子體膨脹的方法，其特征在于：所述的固體復(fù)合材料包括氮化鈾涂層的貧鈾，其中DU為激光X光轉(zhuǎn)換層，UN為離子分離層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用離子分離抑制黑腔輻射源腔壁等離子體膨脹的方法，其特征在于：所述的腔壁固體復(fù)合材料中高Z元素的原子核的核電荷數(shù)大于等于72。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用離子分離抑制黑腔輻射源腔壁等離子體膨脹的方法，其特征在于：所述的腔壁復(fù)合材料中低Z元素的原子核電荷數(shù)小于等于10。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用離子分離抑制黑腔輻射源腔壁等離子體膨脹的方法，其特征在于：所述的腔壁中低Z元素的原子數(shù)目占復(fù)合材料原子數(shù)目的百分比大于等于30％。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用離子分離抑制黑腔輻射源腔壁等離子體膨脹的方法，其特征在于：所述的腔壁上高Z材料和低Z材料的厚度大于等于300nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用離子分離抑制黑腔輻射源腔壁等離子體膨脹的方法，其特征在于：充入腔室中的氣體的低Z成分元素與腔壁復(fù)合材料中低Z元素的質(zhì)量比在0.8～1.2。
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