[發明專利]一種荼薇的栽培方法

在審

• 申請號: 202110815957.1
• 申請日: 2021-07-19
• 公開（公告）號: CN115633603A
• 公開（公告）日: 2023-01-24
• 發明（設計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 中山市小欖荼薇花專業合作社
• 主分類號: A01G22/00
• 分類號: A01G22/00;A01G2/10;A01G24/15;A01G24/28;A01C21/00;A01H4/00
• 代理公司: 北京精金石知識產權代理有限公司 11470
• 代理人: 宋秀蘭

1.一種荼薇的栽培方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)繁育期：荼薇繁育技術包括扦插、組培或嫁接中的一種；

(2)生長期：為5-10月，共施肥3次，每2個月施肥一次；每次施肥30-35kg/畝，其中第一次施肥N:P:K＝3-5:0.5-1.5:1，第二次施肥N:P:K＝1-3:0.5-1.5:1，第三次施肥N:P:K＝4-6:1-3:1；

(3)花芽期：包括花芽孕育和分化期，期間屈花和壓條，每株修剪保留枝條30-40枝；

(4)花后期：施用氮肥和磷酸二氫鉀復合肥，共施肥20-30kg/畝，其中氮肥和磷酸二氫鉀復合肥的質量比為6-10:1。

2.根據權利要求1所述的荼薇的栽培方法，其特征在于，步驟(1)中所述扦插的時間為5-6月；選擇當年半木質營養枝頂梢，4-5節間長插條，頂端留3片復葉，第一腋節背側削成斜面扦插，苗床用拱形薄膜覆蓋，爆出濕度70-80％；扦插的基質由質量比為4:5:1的蛭石、泥炭與珍珠巖組成，基質的干容重0.18-0.22，總孔隙度80-90％，大孔隙度25-30％，小孔隙度60-65％，最大持水率3.8-4.2，抑值6.87，EC值0.85，全氮0.8-1.0％，全磷520-540mg/kg，全鉀5600-5800mg/kg，鈣1600-2000mg/kg，鎂2300-2500mg/kg。

3.根據權利要求1所述的荼薇的栽培方法，其特征在于，步驟(1)中所述扦插時采用生根劑浸漬枝條基部2秒，所述生根劑的濃度1200-1600mg/L，扦插工序完成后，噴多菌靈1000倍液消毒；所述生根劑由重量比為3-5：3-5：1-3：0.5的吲哚丁酸、細胞分裂素、檸檬皮總黃酮提取液和阿司匹林組成。

4.根據權利要求1所述的荼薇的栽培方法，其特征在于，步驟(1)中所述組培的操作包括如下步驟：

A：無菌材料獲取：選取當年生枝條中段帶芽嫩條，先水洗再殺菌處理，最后將嫩條剪切成0.8-1.2cm的帶芽莖段，接種于萌芽培養基上萌芽4周；

B：增殖：將帶芽莖段的帶牙愈傷組織切下，放入增殖培養基上增殖3周成小植株；

C：生根：將B中的小植株轉接入生根培養基上，生根30天。

5.根據權利要求4所述的荼薇的栽培方法，其特征在于，步驟A中所述的殺菌處理為先用65-75％乙醇溶液消毒20-40s，再用無菌水沖洗2-3次，然后置于0.1％HgCl₂溶液中消毒3～5min，再用無菌水沖洗3～5次；然后用無菌濾紙吸干嫩條表面的水分。

6.根據權利要求4所述的荼薇的栽培方法，其特征在于，步驟A-C中培養的條件如下：

A:無菌材料獲取：萌芽培養基的組分和含量為MS+NAA0.05-0.2mg/L+6-BA0.5-1.5mg/L+瓊脂0.7％+蔗糖3％，調pH為5.8～6.0，培養溫度為28-30℃，光照為1400-1600lx，濕度為80-90％；

B:增殖：增殖培養基的組分和含量為1/2MS+NAA0.1mg/L+6-BA1.0mg/L+瓊脂0.7％+蔗糖3％+甘氨酸0.3-0.5％，調pH為6.0-6.2，培養溫度為30-32℃，光照為1200-1500lx，濕度為45-60％；

C:生根：生根培養基的組分和含量為1/4MS+NAA0.1mg/L+6-BA1.0mg/L+瓊脂0.7％+蔗糖3％+活性炭0.2％，調pH為6.0-6.2，培養溫度為27-29℃，光照為1800-2000lx，濕度為75-85％。

7.根據權利要求1所述的荼薇的栽培方法，其特征在于，所述嫁接的方法為以小欖產的粉花麗春為砧木，將荼薇接穗以芽接的方式進行嫁接；所述嫁接的時間為1-3月、6月中旬或9月中下旬，嫁接的溫度為28-32℃，所述荼薇接穗選取位置為距枝條頂端5-10cm為接穗上端，從上端向下6-8cm為接穗下端，接穗的直徑為2-4cm，所述接穗含有3-5個萌芽；所述嫁接的位置是在砧木枝條距頂端15-20cm處，所述砧木的定干高度為95-120cm；優選地，所述粉花麗春具有6-15個分枝；優選地，所述嫁接時間為2月或6月中旬。