[發明專利]一種指紋識別封裝構件及其制備方法

有效

• 申請號: 202110814521.0
• 申請日: 2021-07-19
• 公開（公告）號: CN113270326B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 周華
• 申請（專利權）人: 江蘇華昶熠電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552;H01L25/16;G06K9/00
• 代理公司: 蘇州三英知識產權代理有限公司 32412
• 代理人: 陸穎

1.一種指紋識別封裝構件的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）提供一承載襯底，在所述承載襯底上間隔設置第一控制芯片、第二控制芯片、第三控制芯片，所述第一、第二、第三控制芯片均包括下表面和與所述下表面相對的上表面，且所述第一、第二、第三控制芯片的有源區和導電焊盤均位于相應芯片的下表面；

（2）接著在所述承載襯底上形成一掩膜，利用所述掩膜在所述第一控制芯片的一側面形成第一貫穿孔且在所述第一控制芯片的上表面形成第一凹槽，利用所述掩膜在所述第二控制芯片的一側面形成第二貫穿孔且在所述第二控制芯片的上表面形成第二凹槽，利用所述掩膜在所述第三控制芯片的一側面形成第三貫穿孔且在所述第三控制芯片的上表面形成第三凹槽；

（3）接著去除所述掩膜，接著沉積第一無機絕緣保護層，所述第一無機絕緣保護層覆蓋所述第一、第二、第三控制芯片的上表面和側面、所述第一、第二、第三貫穿孔的側壁以及所述第一、第二、第三凹槽的側壁和底面；

（4）接著在所述第一無機絕緣保護層上形成第一有機絕緣保護層；

（5）接著在所述第一有機絕緣保護層上通過旋涂工藝依次形成第一有機導電層和第一金屬納米線層；

（6）接著在所述第一金屬納米線層上形成第一金屬層，所述第一金屬層覆蓋所述第一、第二、第三控制芯片的上表面和側面以及所述第一、第二、第三凹槽的側壁和底面，且填滿所述第一、第二、第三貫穿孔，所述第一有機導電層、第一金屬納米線層和第一金屬層共同組成金屬屏蔽層；

（7）接著在所述第一凹槽中設置一個或多個發光元件，在所述第二凹槽中設置光探測元件，在所述第三凹槽中設置指紋識別元件；

（8）接著形成一封裝層，所述封裝層包裹各芯片，接著在所述封裝層中形成多個導電柱，接著在所述封裝層上形成一布線層，多個所述導電柱分別通過所述布線層而與所述發光元件、所述光探測元件以及所述指紋識別元件電連接；

（9）接著在所述封裝層上設置一封裝蓋板，接著在所述蓋板中形成擋光結構；

（10）接著去除所述承載襯底，接著提供一電路基板，進而將所述第一、第二、第三控制芯片的導電焊盤以及所述導電柱電連接至所述電路基板。

2.根據權利要求1所述的指紋識別封裝構件的制備方法，其特征在于：通過濕法刻蝕工藝或干法刻蝕工藝以形成所述第一、第二、第三貫穿孔和所述第一、第二、第三凹槽。

3.根據權利要求1所述的指紋識別封裝構件的制備方法，其特征在于：所述第一無機絕緣保護層的材質為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁中的一種，所述第一無機絕緣保護層的厚度為20-100納米。

4.根據權利要求1所述的指紋識別封裝構件的制備方法，其特征在于：所述第一有機絕緣保護層的材料為聚酰亞胺、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸樹脂、硅樹脂、聚乙烯亞胺中的一種，所述第一有機絕緣保護層通過旋涂工藝或噴涂工藝形成，所述第一有機絕緣保護層的厚度為5-20納米。

5.根據權利要求1所述的指紋識別封裝構件的制備方法，其特征在于：所述第一有機導電層為聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔、聚苯胺中的一種，所述第一金屬納米線層為金納米線、銀納米線、銅納米線、鎳納米線中的一種。

6.根據權利要求1所述的指紋識別封裝構件的制備方法，其特征在于：所述第一金屬層為銅、鋁、銀、鎳、鈦、鈀、鐵中的一種或多種。

7.根據權利要求1所述的指紋識別封裝構件的制備方法，其特征在于：所述封裝蓋板為透明玻璃蓋板。

8.一種指紋識別封裝構件，其特征在于，采用權利要求1-7任一項所述的方法制備形成的。