[發(fā)明專利]顯示模組的背板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110810665.9 | 申請日: | 2021-07-16 |
| 公開(公告)號: | CN113555398A | 公開(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李然;王晶;田宏偉;單真真;樊宜冰 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/48;H01L51/56;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京華夏泰和知識產(chǎn)權代理有限公司 11662 | 代理人: | 盧萬騰;韓來兵 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 模組 背板 及其 制備 方法 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示模組的背板,其特征在于,包括:
基板;
設置在所述基板一側的第一電極層,所述第一電極層包含第一電極;
設置在所述第一電極層遠離所述基板一側的有機膜層;
設置在所述有機膜層遠離所述第一電極一側的第二電極層,所述第二電極層包含第二電極,所述第二電極的材料為溶液法導電材料。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示模組的背板,其特征在于,所述溶液法導電材料包括以下至少一種:AZO、PEDOT:PSS或PDINO。
3.根據(jù)權利要求1所述的顯示模組的背板,其特征在于,所述有機膜層包含:空穴傳輸層,有源層以及電子傳輸層;
所述空穴傳輸層位于所述第一電極層遠離所述基板的一側;
所述有源層位于所述空穴傳輸層遠離所述第一電極層的一側;
所述電子傳輸層位于所述有源層遠離所述空穴傳輸層的一側。
4.根據(jù)權利要求3所述的顯示模組的背板,其特征在于,所述有源層的材料為混合溶液材料,所述混合溶液材料為P型材料溶液和N型材料溶液混合后形成的材料。
5.根據(jù)權利要求3所述的顯示模組的背板,其特征在于,所述有源層包含發(fā)光層模塊和有機光探測器模塊,且所述發(fā)光層模塊的材料與所述有機光探測器模塊的材料不同。
6.根據(jù)權利要求1的顯示模組的背板,其特征在于,還包括:
發(fā)光層,設置于所述第二電極層遠離所述機功能層一側。
7.根據(jù)權利要求1至6任一所述的顯示模組的背板,其特征在于,所述第二電極層和所述有機膜層均是通過圖形化設置的,所述第二電極通過光刻刻蝕制備而成,所述有機膜層通過自對準刻蝕制備而成。
8.一種顯示模組的背板的制備方法,其特征在于,包括:
在基板上制備第一電極層,所述第一電極層包含第一電極;
在所述第一電極層遠離所述基板的一側形成有機膜層;
在所述有機膜層遠離所述第一電極的一側設置第二電極層,所述第二電極層包含第二電極,所述第二電極的材料為溶液法導電材料。
9.根據(jù)權利要求8所述的顯示模組的背板的制備方法,其特征在于,所述溶液法導電材料包括以下至少一種:AZO、PEDOT:PSS或PDINO。
10.根據(jù)權利要求8所述的顯示模組的背板的制備方法,其特征在于,所述在所述第一電極層遠離所述基板的一側形成有機膜層,包括:
在所述第一電極層遠離所述基板的一側,通過第一制程制備空穴傳輸層;
在所述空穴傳輸層遠離所述第一電極層的一側,通過第二制程制備有源層;
在所述有源層遠離所述空穴傳輸層的一側,通過第三制程制備電子傳輸層。
11.根據(jù)權利要求10所述的顯示模組的背板的制備方法,其特征在于,
所述第一制程為旋涂法、刮涂法以及噴涂法中的任意一種;
所述第二制程為旋涂法、刮涂法以及噴涂法中的任意一種;
所述第三制程為旋涂法、刮涂法以及噴涂法中的任意一種。
12.根據(jù)權利要求8至11任一所述的顯示模組的背板的制備方法,其特征在于,所述在所述有機膜層遠離所述第一電極的一側設置第二電極層之后還包括:
在所述有機膜層遠離所述第一電極的一側,對所述溶液法導電材料進行光刻刻蝕,形成圖形化電極,以作為所述第二電極;
以所述圖形化電極為硬掩模進行自對準刻蝕,形成圖案化的有機膜層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





