[發明專利]一種熒光發光器件及其制備方法、顯示面板、顯示裝置

有效

• 申請號: 202110808879.2
• 申請日: 2021-07-16
• 公開（公告）號: CN113555508B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 高榮榮;陳雪芹;吳歡
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 李娜

本發明提供了一種熒光發光器件及其制備方法、顯示面板、顯示裝置，涉及顯示技術領域。其中，熒光發光器件的發光層包括疊層設置的第一熒光發光層和第二熒光發光層，第一熒光發光層靠近電子阻擋層設置，第二熒光發光層靠近空穴阻擋層設置，電子阻擋層、第一熒光發光層與第二熒光發光層滿足一些能級條件。在本發明實施例中，滿足這些能級條件，可保證激子復合發生在第一熒光發光層，以及TTF效應發生在第二熒光發光層，激子復合與TTF效應發生在不同發光層，提高了三重態激子的利用率，提升了熒光發光器件的發光效率。另外，TTF效應發生在遠離電子阻擋層的第二熒光發光層中，減緩了電子阻擋層的劣化，延長了熒光發光器件的使用壽命。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種熒光發光器件及其制備方法、顯示面板、顯示裝置。

背景技術

發光器件在施加電壓的情況下，從陽極注入空穴，并從陰極注入電子，會以25∶75的機率產生單重態激子及三重態激子。其中，熒光發光器件通過單重態激子輻射失活為基態而放射熒光，但卻無法將產生機率較高的三重態激子的能量有效用于發光，導致顯示裝置的發光性能不太理想。

TTF(triplet-triplet fusion，三重態-三重態融合)效應可以通過兩個三重態激子的碰撞和融合可產生單重態激子，由此增加熒光發光。在實際發光過程中，熒光發光器件可以通過TTF效應，利用三重態激子增加熒光發光。但是，由于激子復合與TTF效應發生在同一區域，會使過多的三重態激子不斷碰撞失活，不能最大限度的產生單重態激子，如此，限制了發光效率的提升。此外，大量三重態激子不斷碰撞靠近發光層設置的電子阻擋層，導致電子阻擋層容易裂解，使電子阻擋層劣化，從而縮短了熒光發光器件的使用壽命。

發明內容

本發明提供一種熒光發光器件及其制備方法、顯示面板、顯示裝置，以解決現有熒光發光器件的發光效率受限，以及使用壽命較短問題。

為了解決上述問題，本發明公開了一種熒光發光器件，包括襯底、陽極層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和陰極層，所述發光層包括疊層設置的第一熒光發光層和第二熒光發光層，所述第一熒光發光層靠近所述電子阻擋層設置，所述第二熒光發光層靠近所述空穴阻擋層設置，所述電子阻擋層、所述第一熒光發光層與所述第二熒光發光層滿足以下條件：

HOMO(EBL)-HOMO(Host1)≤0.3eV；

0.1eV≤HOMO(Host1)-HOMO(Host2)≤0.5eV；

0.1eV≤丨LUMO(Host1)-LUMO(Host2)丨≤0.5eV；

μ(Host1)-μ(Host2)≥10^-1；

0.1eV≤T1(Host1)-T1(Host2)≤0.5eV；

其中，所述EBL為所述電子阻擋層，所述Host1為所述第一熒光發光層中的主體材料，所述Host2為所述第二熒光發光層中的主體材料，所述HOMO為最高占據分子軌道能級，所述LUMO為最低未占分子軌道能級，所述μ為空穴遷移率，所述T1為三線態能級。

可選地，所述熒光發光器件為藍色發光器件。

可選地，所述第一熒光發光層中的主體材料選自如下結構式中的任一種：

可選地，所述第二熒光發光層中的主體材料選自如下結構式中的任一種：

可選地，所述第一熒光發光層中的客體材料和所述第二熒光發光層中的客體材料選自如下結構式：