[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請號: 202110804401.2
• 申請日: 2021-07-16
• 公開（公告）號: CN113594178A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 王旭;徐洪遠;江志雄;胡道兵
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底；

低溫多晶硅薄膜晶體管，設置于所述襯底上；

其中，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括第一有源層，所述第一有源層包括層疊設置的多晶硅層和非晶硅層。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述非晶硅層位于所述多晶硅層遠離所述襯底的一側。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括氧化物薄膜晶體管，所述氧化物薄膜晶體管設置于所述襯底上，并與所述低溫多晶硅薄膜晶體管相間隔，其中，所述氧化物薄膜晶體管和所述低溫多晶硅薄膜晶體管均為底柵結構。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，

所述低溫多晶硅薄膜晶體管還包括：

第一柵極，位于所述第一有源層靠近所述襯底的一側；

第一源極和第一漏極，位于所述第一有源層遠離所述襯底的一側，且分別與所述第一有源層的非溝道區接觸；

所述氧化物薄膜晶體管包括：

第二柵極，與所述第一柵極同層設置；

第二有源層，位于所述第二柵極遠離所述襯底的一側，且與所述第一有源層同層設置；

第二源極和第二漏極，位于所述第二有源層遠離所述襯底的一側，且與所述第一源極和所述第一漏極同層設置，所述第二源極和所述第二漏極分別與所述第二有源層的非溝道區接觸。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜晶體管還包括離子層，所述離子層對應位于所述第一有源層遠離所述襯底一側的非溝道區上，所述第一源極和所述第一漏極位于所述離子層上，且所述第一源極和所述第一漏極分別通過所述離子層與所述第一有源層的非溝道區接觸；

所述氧化物薄膜晶體管還包括刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層位于所述第二有源層遠離所述襯底的一側，所述第二源極和所述第二漏極位于所述刻蝕阻擋層上，并且所述刻蝕阻擋層上包括貫穿所述刻蝕阻擋層的過孔，所述過孔露出所述第二有源層的非溝道區，所述第二源極和所述第二漏極分別通過所述過孔與所述第二有源層的非溝道區接觸。

6.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板的制備方法包括低溫多晶硅薄膜晶體管的第一有源層的制備方法，所述第一有源層的制備方法包括：

在襯底上形成第一非晶硅層，其中，所述第一非晶硅層包括多個待結晶區域；

對多個所述待結晶區域進行激光退火工藝，使所述第一非晶硅層對應多個所述待結晶區域的部分形成多晶硅；

在所述第一非晶硅層上形成第二非晶硅層；

對所述第一非晶硅層和所述第二非晶硅層進行圖案化，以去除對應所述多晶硅之外的所述第一非晶硅層和所述第二非晶硅層，形成包含層疊設置的多晶硅層和非晶硅層的所述第一有源層。

7.根據權利要求6所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板的制備方法包括：

步驟S21，在襯底上形成多個第一柵極和多個第二柵極；

步驟S22，在所述第一柵極、所述第二柵極和所述襯底上形成介電層；

步驟S23，在所述介電層上形成正對所述第一柵極的所述第一有源層和離子膜圖案，所述離子膜圖案形成于所述第一有源層上；

步驟S24，在所述介電層上形成正對所述第二柵極的第二有源層；

步驟S25，在所述第二有源層上形成刻蝕阻擋層，同時在所述刻蝕阻擋層上形成露出所述第二有源層的非溝道區的過孔；

步驟S26，在所述離子層上形成第一源極和第一漏極，同時在所述刻蝕阻擋層上形成第二源極和第二漏極，以及同時形成離子層；

其中，所述第一源極和所述第一漏極分別通過所述離子層與所述第一有源層的非溝道區接觸，所述第二源極和所述第二漏極分別通過所述過孔與所述第二有源層的非溝道區接觸。