[發明專利]存儲器器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202110802714.4
• 申請日: 2021-07-15
• 公開（公告）號: CN113594355A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 陳俊堯;黃勝煌;王宏烵;莊學理
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種存儲器器件，包括：

底部電極；

磁隧道結(MTJ)堆疊件，位于所述底部電極上方；

頂部電極，位于所述磁隧道結堆疊件上方；以及

側壁間隔件，橫向地圍繞所述MTJ堆疊件和所述頂部電極，其中，所述側壁間隔件具有從所述底部電極的最外側壁橫向地回縮的最外側壁。

2.根據權利要求1所述的存儲器器件，還包括：

金屬結構，接觸所述頂部電極的頂表面，其中，所述金屬結構具有比所述側壁間隔件的頂端高出非零距離的底表面。

3.根據權利要求2所述的存儲器器件，其中，所述金屬結構和所述頂部電極形成界面，并且當在橫截面中觀看時，所述頂部電極具有分別從由所述金屬結構和所述頂部電極形成的所述界面的相對邊緣延伸的圓角。

4.根據權利要求2所述的存儲器器件，其中，所述金屬結構和所述頂部電極形成彎曲的界面。

5.根據權利要求1所述的存儲器器件，其中，從俯視圖看，所述側壁間隔件形成環狀圖案，并且所述底部電極形成具有直徑大于由所述側壁間隔件形成的所述環狀圖案的外部直徑的基本上圓形的圖案。

6.根據權利要求5所述的存儲器器件，其中，從俯視圖看，由所述底部電極形成的所述基本上圓形的圖案同心地圍繞由所述側壁間隔件形成的所述環狀圖案。

7.根據權利要求1所述的存儲器器件，還包括：

金屬結構，位于所述頂部電極上方；以及

蝕刻停止層，位于所述側壁間隔件上方，所述金屬結構延伸穿過所述蝕刻停止層，其中，從俯視圖看，所述蝕刻停止層具有基本上圓形的圖案。

8.根據權利要求7所述的存儲器器件，其中，所述蝕刻停止層是含鋁電介質。

9.一種存儲器器件，包括：

底部電極；

頂部電極，在所述底部電極之上；

磁隧道結(MTJ)堆疊件，設置在所述底部電極和所述頂部電極之間；

側壁間隔件，橫向地圍繞所述磁隧道結堆疊件和所述頂部電極；

蝕刻停止層，橫向地圍繞所述側壁間隔件，所述蝕刻停止層具有與所述底部電極的邊緣對準的最外邊緣；以及

金屬結構，穿過所述蝕刻停止層延伸至所述頂部電極。

10.一種制造存儲器器件的方法，包括：

在底部電極層上方形成磁隧道結(MTJ)層和頂部電極層；

將所述頂部電極層圖案化為頂部電極；

將所述磁隧道結層圖案化為分別在所述頂部電極之下的磁隧道結堆疊件；

在所述頂部電極和所述磁隧道結堆疊件上方沉積間隔件層；

蝕刻所述間隔件層以形成分別橫向圍繞所述磁隧道結堆疊件的側壁間隔件；

在蝕刻所述間隔件層之后，在所述頂部電極上方形成圖案化的掩模層；以及

在所述圖案化的掩模層就位的情況下，執行第一蝕刻工藝以將所述底部電極層圖案化為分別在所述磁隧道結堆疊件之下的底部電極。