[發(fā)明專利]一種改善SiC光導(dǎo)器件量子效率的器件結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110799089.2
• 申請(qǐng)日: 2021-07-15
• 公開（公告）號(hào): CN113391470A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳謙;易木俁;王朗寧;荀濤;張軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)人民解放軍國(guó)防科技大學(xué)
• 主分類號(hào): G02F1/01
• 分類號(hào): G02F1/01
• 代理公司: 北京盛詢知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11901
• 代理人: 陳巍

1.一種改善SiC光導(dǎo)器件量子效率的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括SiC襯底(1)，所述SiC襯底(1)上下表面設(shè)有透明電極(2)，兩個(gè)所述透明電極(2)外表面設(shè)有DBR反射層(3)；

所述DBR反射層(3)包括若干高折射率層(4)和若干低折射率層(5)，若干所述高折射率層(4)、若干所述低折射率層(5)交錯(cuò)設(shè)置，所述DBR反射層(3)最上層和最下層為高折射率層(4)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善SiC光導(dǎo)器件量子效率的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述SiC襯底(1)為摻雜釩的4H-SiC材料，所述釩的摻雜濃度為10^{^16}～10^{^17}cm^-3，所述SiC襯底(1)厚度為800～1500μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善SiC光導(dǎo)器件量子效率的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述透明電極(2)為摻鋁的氧化鋅材料或摻鎵的氧化鋅材料，所述透明電極(2)通過(guò)磁控濺射方法高溫沉積在所述SiC襯底(1)上下表面，所述透明電極(2)厚度為300～700nm，所述透明電極(2)生長(zhǎng)溫度為350～500℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善SiC光導(dǎo)器件量子效率的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述高折射率層(4)為二氧化鈦、氧化鋁、氮化鋁中的一種，所述高折射率層(4)厚度為30-80nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善SiC光導(dǎo)器件量子效率的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述低折射率層(5)為二氧化硅、氮化硅中的一種，所述低折射率層(5)厚度為80-150nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善SiC光導(dǎo)器件量子效率的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：若干所述高折射率層(4)和若干所述低折射率層(5)總層數(shù)為11-31層，若干所述高折射率層(4)和若干所述低折射率層(5)總厚度為0.5-3.6μm。