[發明專利]一種制作GaN芯片的方法及GaN芯片

有效

• 申請號: 202110798912.8
• 申請日: 2021-07-15
• 公開（公告）號: CN113270358B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 郭芬;蘇康;周朗;李拓;滿宏濤
• 申請（專利權）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 劉小峰;楊帆

1.一種制作GaN芯片的方法，其特征在于，包括以下步驟：

在原始襯底上生長Nb₂N犧牲層，并在所述Nb₂N犧牲層上生長GaN插入層；

在所述GaN插入層上生長Ta₂N犧牲層，并在所述Ta₂N犧牲層上生長半導體層以形成GaN圓片；

將所述GaN圓片和臨時載片的第一面進行鍵合，并移除所述Nb₂N犧牲層和所述Ta₂N犧牲層；以及

將移除所述Nb₂N犧牲層和所述Ta₂N犧牲層后的剩余材料轉移到目標襯底，并從所述剩余材料中移除所述臨時載片以形成GaN芯片。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在原始襯底上生長Nb₂N犧牲層包括：

在所述原始襯底上制作0-50nm厚度的Nb₂N犧牲層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述GaN插入層上生長Ta₂N犧牲層包括：

在所述GaN插入層上制作0-50nm厚度的Ta₂N犧牲層。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述GaN圓片和臨時載片的第一面進行鍵合包括：

在所述臨時載片的第一面涂敷粘合材料，將所述臨時載片放置在熱板上烘烤，并隨后將所述臨時載片冷卻。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述臨時載片的第一面涂敷粘合材料包括：

采用旋涂法對所述臨時載片的第一面涂覆粘合材料，并將轉速控制為1200-3000轉/分鐘，將時間控制為30-60秒。

6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述將所述臨時載片放置在熱板上烘烤包括：

將熱板溫度控制為120℃，烘烤3分鐘；以及

將熱板溫度控制為180℃，烘烤4分鐘。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述GaN圓片和臨時載片的第一面進行鍵合包括：

將鍵合溫度控制為200-350℃，鍵合壓力控制為1000-2000N。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述移除所述Nb₂N犧牲層和所述Ta₂N犧牲層包括：

使用體積比為1：1的鹽酸和氫氟酸刻蝕移除所述Nb₂N犧牲層和所述Ta₂N犧牲層。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述將移除所述Nb₂N犧牲層和所述Ta₂N犧牲層后的剩余材料轉移到目標襯底包括：

采用氮氣或氧氣對所述剩余材料和所述目標襯底進行激活，將激活后的所述目標襯底與所述剩余材料對準貼合，并進行退火處理。

10.一種芯片，其特征在于，使用如權利要求1-9中任一項權利要求所述的方法制成。