[發明專利]鰭式場效應晶體管源漏寄生電阻分解結構及測試結構

有效

• 申請號: 202110798892.4
• 申請日: 2021-07-15
• 公開（公告）號: CN113517349B
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發明（設計）人: 蘇炳熏;楊展悌;葉甜春;羅軍;趙杰
• 申請（專利權）人: 廣東省大灣區集成電路與系統應用研究院;銳立平芯微電子（廣州）有限責任公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L23/544;H01L21/66;G01R27/08;G01R31/26
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260
• 代理人: 曹慧萍

1.一種鰭式場效應晶體管源漏寄生電阻分解結構，所述鰭式場效應晶體管包括鰭、分布于所述鰭的柵極區、源漏極區、接觸層、分布于所述源漏極區兩側的延伸層，相鄰兩個所述柵極區之間設置有一個所述接觸層，其特征在于，所述源漏寄生電阻包括分布于所述接觸層的源漏接觸電阻、分布于所述源漏極區的外延生長電阻、分布于所述延伸層的延伸電阻、分布于所述延伸電阻之間的柵極驅動信道電阻，所述源漏接觸電阻、外延生長電阻、延伸電阻、柵極驅動信道電阻串聯，所述源漏接觸電阻包括第一接觸電阻、第二接觸電阻，所述外延生長電阻包括第一外延生長電阻、第二外延生長電阻，所述延伸電阻包括第一延伸電阻、第二延伸電阻，所述第一接觸電阻、第一外延生長電阻、第一延伸電阻、柵極驅動信道電阻、第二延伸電阻、第二外延生長電阻、第二接觸電阻依次串聯；

選取若干個所述接觸層之間的區域作為總測試區，所述總測試區包括至少三個不同測試區間，不同所述測試區間的鰭長度沿所述鰭方向依次遞增，所述測試區間包括三個，分別為第一測試區間、第二測試區間、第三測試區間，所述第一測試區間、第二測試區間、第三測試區間的鰭長度沿所述鰭方向依次遞增；

不同所述測試區間通過所述接觸層分隔，所述總測試區一端的所述接觸層與驅動電流源連接，另一端的所述接觸層接地；所述總測試區域內的接觸層為九個，九個所述接觸層分別為第一接觸層~第九接觸層，所述第二接觸層與所述第三接觸層之間的區域為所述第一測試區間，所述第三接觸層和所述第五接觸層之間的區域為所述第二測試區間，所述第五接觸層和所述第八接觸層之間的區域為所述第三測試區間；

每個所述測試區間兩側的所述接觸層為電壓測試點；所述總測試區包括四個電壓測試點：第一電壓測試點、第二電壓測試點、第三電壓測試點、第四電壓測試點，且所述第一電壓測試點、第二電壓測試點、第三電壓測試點、第四電壓測試點分別設置于所述第二接觸層、第三接觸層、第五接觸層、第八接觸層；

通過電壓測試點對每個測試區間的電壓進行測試，計算獲取不同測試區間的源漏寄生電阻，實現源漏接觸電阻、外延生長電阻、延伸電阻、柵極驅動信道電阻的提取。

2.根據權利要求1所述的一種鰭式場效應晶體管源漏寄生電阻分解結構，其特征在于，所述鰭為單根鰭，所述接觸層分布于所述單根鰭或所述鰭包括至少兩根，所述接觸層分布于一根所述鰭或所述接觸層跨接至少兩根所述鰭。

3.根據權利要求1或2所述的一種鰭式場效應晶體管源漏寄生電阻分解結構，其特征在于，所述鰭為條狀、L型、U型或以上至少兩種形狀的組合形。