[發(fā)明專利]陣列基板及OLED顯示面板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110798863.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-07-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113421891A | 公開(公告)日: | 2021-09-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樓均輝;朱超 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 劉丹;臧建明 |
| 地址: | 230037 安徽省合*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 oled 顯示 面板 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板具有主屏區(qū)和透光區(qū),所述陣列基板包括襯底,設(shè)置于所述襯底上并與所述主屏區(qū)對(duì)應(yīng)的主屏區(qū)堆疊結(jié)構(gòu),以及設(shè)置于所述襯底上并與所述透光區(qū)對(duì)應(yīng)的透光區(qū)堆疊結(jié)構(gòu);
所述主屏區(qū)堆疊結(jié)構(gòu)的厚度大于所述透光區(qū)堆疊結(jié)構(gòu)的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述主屏區(qū)堆疊結(jié)構(gòu)的功能層的層數(shù)大于所述透光區(qū)堆疊結(jié)構(gòu)的功能層的層數(shù),所述功能層為有機(jī)膜層或無機(jī)膜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述主屏區(qū)堆疊結(jié)構(gòu)中的各功能層與所述透光區(qū)堆疊結(jié)構(gòu)中相應(yīng)的功能層為一體結(jié)構(gòu)且厚度相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述主屏區(qū)堆疊結(jié)構(gòu)和所述透光區(qū)堆疊結(jié)構(gòu)中的無機(jī)膜層的層數(shù)相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述主屏區(qū)堆疊結(jié)構(gòu)和所述透光區(qū)堆疊結(jié)構(gòu)中背離所述襯底一側(cè)的功能層為一體結(jié)構(gòu),且均為有機(jī)膜層。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述無機(jī)膜層選自氧化硅層、氮化硅層或氮氧化硅層;和/或,
所述有機(jī)膜層選自光敏聚酰亞胺層或硅氧烷樹脂層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述主屏區(qū)堆疊結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一功能層,所述透光區(qū)堆疊結(jié)構(gòu)包括分別與各個(gè)所述第一功能層同層設(shè)置的第二功能層,至少一層所述第二功能層的厚度小于與其同層的所述第一功能層的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路,其中,與所述透光區(qū)相連的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置于所述主屏區(qū)堆疊結(jié)構(gòu)中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板,其特征在于,所述主屏區(qū)包括圍繞所述透光區(qū)設(shè)置的過渡區(qū),與所述透光區(qū)相連的驅(qū)動(dòng)電路位于所述過渡區(qū)。
10.一種OLED顯示面板,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的陣列基板。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





