[發明專利]多層電容器

在審

• 申請號: 202110798474.5
• 申請日: 2021-07-15
• 公開（公告）號: CN114446654A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 李大熙;李相赫;宋琯宇;趙洙玎;李鐘和;車梵夏;鄭東俊;金潤
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/012
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 包國菊;薛丞丞

1.一種多層電容器，包括：

主體，包括多層結構，在所述多層結構中堆疊有多個介電層并且堆疊有多個內電極，且所述多個介電層介于所述多個內電極之間；以及

外電極，設置在所述主體的外部并連接到所述內電極，

其中，所述多個介電層中的至少一個介電層包括多個晶粒，并且在所述多個晶粒中具有位錯的晶粒的比例為20％或更大。

2.根據權利要求1所述的多層電容器，其中，

所述位錯與所述多個晶粒之間的晶界間隔開。

3.根據權利要求1所述的多層電容器，其中，

所述多個晶粒中的一個晶粒中的位錯僅與所述多個晶粒中的所述一個晶粒和所述多個晶粒中的其他晶粒之間的晶界中的一個晶界接觸。

4.根據權利要求1所述的多層電容器，其中，

所述多個晶粒中的一個晶粒內的位錯設置在具有四方晶系晶體結構的相和具有立方晶系晶體結構的相之間。

5.根據權利要求1所述的多層電容器，其中，

所述多個晶粒中的一部分晶粒具有多個位錯。

6.根據權利要求1所述的多層電容器，其中，

在多個晶粒中具有位錯的晶粒的比例是通過對在介電層的切割表面中的至少四個單位面積中測量的值取平均值而獲得的值。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的多層電容器，其中，

在所述多個晶粒中，具有位錯的晶粒的比例為40％或更小。

8.根據權利要求1所述的多層電容器，其中，

所述位錯中的每個位錯與所述多個晶粒之間的晶界間隔開，或者僅與所述多個晶粒的所述晶界中的一個晶界接觸。

9.一種多層電容器，包括：

主體，包括多層結構，在所述多層結構中堆疊有具有晶粒的多個介電層并且堆疊有多個內電極，且所述多個介電層介于所述多個內電極之間；以及

外電極，設置在所述主體的外部并連接到所述內電極，

其中，在所述主體的區域中的晶粒中，具有位錯的晶粒的比例為20％或更大。

10.根據權利要求9所述的多層電容器，其中，

在所述主體的所述區域中，每個位錯與所述多個晶粒之間的晶界間隔開，或者僅與所述晶粒的晶界中的一個晶界接觸。

11.根據權利要求9所述的多層電容器，其中，

所述多個晶粒中的一個晶粒內的位錯設置在具有四方晶系晶體結構的相和具有立方晶系晶體結構的相之間。

12.根據權利要求9所述的多層電容器，其中，

在所述主體的所述區域中，所述多個晶粒中的一部分晶粒具有多個位錯。

13.根據權利要求9至12中任一項所述的多層電容器，其中，

在所述主體的所述區域中的所述晶粒中，具有位錯的晶粒的比例為40％或更小。

14.一種多層電容器，包括：

主體，包括多層結構，在所述多層結構中堆疊有具有晶粒的多個介電層并且堆疊有多個內電極，且所述多個介電層介于所述多個內電極之間；以及

外電極，設置在所述主體的外部并連接到所述內電極，

其中，在所述主體的切割表面中的多個單位面積中分別獲得的晶粒中，具有位錯的晶粒的比例的平均值為20％或更大。

15.根據權利要求14所述的多層電容器，其中，

在所述多個單位面積中的每個單位面積中，所述位錯中的每個位錯與所述多個晶粒之間的晶界間隔開，或者僅與所述晶粒的晶界中的一個晶界接觸。