[發明專利]無機基質納米壓印光刻體及其制造方法

在審

• 申請號: 202110798457.1
• 申請日: 2021-07-14
• 公開（公告）號: CN113933921A
• 公開（公告）日: 2022-01-14
• 發明（設計）人: 朱塞佩·卡拉菲奧雷;饒婷玲;安基特·沃拉;彼得·托帕利安
• 申請（專利權）人: 臉譜科技有限責任公司
• 主分類號: G02B5/18
• 分類號: G02B5/18;G02B27/01;G03F7/00
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 韓輝峰;楊明釗

1.一種納米壓印光刻(NIL)光柵，包括具有約10％或更少的相對量的碳的陶瓷材料。

2.根據權利要求1所述的NIL光柵，其中所述陶瓷材料中的碳的相對量為約9％或更少、約8％或更少、約7％或更少、約6％或更少、約5％或更少、約4％或更少、約3％或更少、約2％或更少、或約1％或更少。

3.根據權利要求1所述的NIL光柵，其中所述陶瓷材料基本上不含有機材料。

4.根據權利要求1所述的NIL光柵，其中陶瓷材料包括氧化鈦、氧化鋯、氧化鉿、氧化鎢、鋅碲、磷化鎵或其任何組合或衍生物中的一種或更多種。

5.根據權利要求1所述的NIL光柵，其中所述光柵具有在從10％至90％范圍內的占空比。

6.根據權利要求1所述的NIL光柵，其中所述光柵具有在從30％至90％范圍內的占空比。

7.根據權利要求1所述的NIL光柵，其中所述光柵是非傾斜的光柵。

8.根據權利要求1所述的NIL光柵，其中所述光柵是傾斜的光柵。

9.根據權利要求8所述的NIL光柵，其中傾斜角在從大于0°至約70°的范圍內。

10.根據權利要求8所述的NIL光柵，其中傾斜角大于30°。

11.根據權利要求1所述的NIL光柵，其中所述光柵具有從30nm至450nm的深度。

12.根據權利要求1所述的NIL光柵，其中所述光柵具有從50nm至350nm的深度。

13.根據權利要求1所述的NIL光柵，其中所述光柵具有從75nm至250nm的深度。

14.根據權利要求1所述的NIL光柵，其中所述光柵具有大于100nm且小于500nm的深度。

15.根據權利要求1所述的NIL光柵，其中所述光柵具有從0.5:1至6:1的縱橫比。

16.根據權利要求1所述的NIL光柵，其中所述光柵具有從1:1至5:1的縱橫比。

17.根據權利要求1所述的NIL光柵，其中所述光柵具有大于3:1且小于8:1的縱橫比。

18.根據權利要求1所述的NIL光柵，其中所述陶瓷材料具有在從1.90至2.25范圍內的折射率。

19.根據權利要求1所述的NIL光柵，其中所述折射率在460nm被測量。

20.一種光學部件，包括根據權利要求1所述的NIL光柵。