[發明專利]一種基于石墨烯的高線性度微環輔助MZ調制器在審
| 申請號： | 202110793625.8 | 申請日： | 2021-07-12 |
| 公開（公告）號： | CN113448135A | 公開（公告）日： | 2021-09-28 |
| 發明（設計）人： | 陸榮國;呂江泊;沈黎明 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G02F1/21 | 分類號： | G02F1/21 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 石墨 線性 度微環 輔助 mz 調制器 | ||
1.一種基于石墨烯的高線性度微環輔助MZ調制器，其特征在于，所述高線性度微環輔助MZ調制器固定在基底7上，具體包括微環波導結構5、相位調制結構1、信號調制結構2、調制耦合結構3和包含可調分束器的MZ調制器6。
2.根據權利要求1所述的一種基于石墨烯的高線性度微環輔助MZ調制器，其特征在于，所述微環波導結構5集成相位調制結構1和信號調制結構2，并與相同曲率的調制耦合結構3保持固定的間距。
3.相位調制結構1包裹石墨烯層16，調制耦合結構3包裹石墨烯層17，可調分束器4包裹石墨烯層18。
4.石墨烯層16、17和18與波導材料和包層材料被一定厚度的隔離介質13、14和15隔離，石墨烯層16、17和18分別向遠離波導一側延伸，且分別與電極9、10和11相連。
5.信號調制結構2和直流偏置8通過電極施加電信號和偏壓。
6.根據權利要求2所述的一種基于石墨烯的高線性度微環輔助MZ調制器，其特征在于，所述高線性度微環輔助MZ調制器的波導材料為硅。
7.根據權利要求3所述的一種基于石墨烯的高線性度微環輔助MZ調制器，其特征在于，所述基底7材料為二氧化硅。
8.根據權利要求4所述的一種基于石墨烯的高線性度微環輔助MZ調制器，其特征在于，所述隔離介質13、14和15為六方氮化硼(hBN)。
9.根據權力要求1-5任一項所述的一種基于石墨烯的高線性度微環輔助MZ調制器，其特征在于，所述相位調制結構1、耦合調制結構3和所述MZ調制器6中可調分束器通過電極對石墨烯層16、17和18施加偏壓調控其化學勢來實現對結構調制進程的調控。
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