[發(fā)明專利]防止主機(jī)損壞的裝置及方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110793426.7
• 申請(qǐng)日: 2021-07-14
• 公開（公告）號(hào): CN113419619A
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郎維良;李凱;鄧忠良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京同方信息安全技術(shù)股份有限公司
• 主分類號(hào): G06F1/30
• 分類號(hào): G06F1/30;G06F21/75;G06F21/81
• 代理公司: 北京細(xì)軟智谷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11471
• 代理人: 付登云

1.一種防止主機(jī)損壞的裝置，其特征在于，包括：電壓比較電路、參考電壓電路和電壓輸出開關(guān)；所述電壓比較電路的第一輸入端連接所述參考電壓電路，所述電壓比較電路的第二輸入端連接外部輸入；所述電壓比較電路的輸出端連接所述電壓輸出開關(guān)；

所述參考電壓電路用于產(chǎn)生參考電壓；

所述電壓比較電路，用于根據(jù)所述參考電壓確定參考電壓范圍，比較所述輸入電壓是否在所述參考電壓范圍內(nèi)；若所述輸入電壓在所述參考電壓范圍內(nèi)，則觸發(fā)所述電壓輸出開關(guān)斷開；若所述輸入電壓不在所述參考電壓范圍內(nèi)，則觸發(fā)所述電壓輸出開關(guān)閉合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述參考電壓電路，包括：穩(wěn)壓元件；所述穩(wěn)壓元件分別連接電源輸入端和所述參考電壓電路的輸出端。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述電壓比較電路，包括：第一比較器和第二比較器；所述第一比較器和所述第二比較器通過場(chǎng)效應(yīng)管相連；

所述第一比較器的正輸入端通過第一電壓調(diào)節(jié)元件連接所述輸入電壓，所述第一比較器的負(fù)輸入端連接所述參考電壓電路的輸出端；所述第一電壓調(diào)節(jié)元件用于調(diào)節(jié)所述參考電壓范圍的最小值；

所述第二比較器的正輸入端連接所述參考電壓電路的輸出端，所述第二比較器的負(fù)輸入端通過第二電壓調(diào)節(jié)元件連接所述輸入電壓；所述第二電壓調(diào)節(jié)元件用于調(diào)節(jié)所述參考電壓范圍的最大值。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述第一電壓調(diào)節(jié)元件包括預(yù)設(shè)阻值的第一電阻；所述第二電壓調(diào)節(jié)元件包括預(yù)設(shè)阻值的第二電阻。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述場(chǎng)效應(yīng)管包括兩個(gè)相互連接的第一MOS管和第二MOS管；所述第一MOS管和第二MOS管均為N溝道耗盡型MOS管。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述第一MOS管柵極連接所述第一比較器的輸出端，所述第一MOS管的漏極連接所述電壓輸出開關(guān)，所述第一MOS管的源極連接所述第二MOS管的漏極；所述第二MOS管的柵極連接所述第二比較器的輸出端。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括：保護(hù)電路；所述保護(hù)電路連接所述外部輸入；所述保護(hù)電路包括：多個(gè)相互并聯(lián)的肖特基二極管。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括：濾波電路；所述濾波電路連接所述外部輸入；所述濾波電路包括：多個(gè)相互并聯(lián)的磁珠。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述電壓輸出開關(guān)，包括：P溝道增強(qiáng)型MOS管。

10.一種防止主機(jī)損壞的方法，其特征在于，應(yīng)用于計(jì)算機(jī)主機(jī)，所述方法包括：

在獲取到輸入電壓后，根據(jù)所述參考電壓確定參考電壓范圍，比較所述輸入電壓是否在所述參考電壓范圍內(nèi)；

若所述輸入電壓在所述參考電壓范圍內(nèi)，則觸發(fā)所述電壓輸出開關(guān)斷開；

若所述輸入電壓不在所述參考電壓范圍內(nèi)，則觸發(fā)所述電壓輸出開關(guān)閉合。