[發明專利]具有結勢壘肖特基二極管的寬帶隙半導體電子器件

在審

• 申請號: 202110793154.0
• 申請日: 2021-07-14
• 公開（公告）號: CN113948584A
• 公開（公告）日: 2022-01-18
• 發明（設計）人: S·拉斯庫納
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 董莘

1.一種垂直導電電子功率器件，包括：

寬帶隙半導體的主體，具有第一導電類型和表面，所述主體包括：

漂移區；和

多個第一金屬陽極區，在所述表面上；

第二金屬陽極區，在所述第一金屬陽極區上，并且在所述表面上；

多個第二導電類型的第一注入區，從所述表面延伸到所述漂移區中；以及

多個第一肖特基二極管，每個第一肖特基二極管在平衡時、在所述漂移區的所述表面與所述多個第一金屬陽極區之間的多個第一界面處，具有第一肖特基勢壘高度；以及

多個第二肖特基二極管，每個第二肖特基二極管在平衡時具有第二肖特基勢壘高度，所述第二肖特基勢壘高度與所述第一肖特基勢壘高度不同，所述多個第二肖特基二極管位于所述漂移區的所述表面與所述第二金屬陽極區之間的多個第二界面處。

2.根據權利要求1所述的電子器件，其中所述第一肖特基勢壘高度小于所述第二肖特基勢壘高度。

3.根據權利要求1所述的電子器件，其中所述第一肖特基二極管中的第一個第一肖特基二極管位于距所述第一注入區中的第一個第一注入區第一距離處，所述第二肖特基二極管中的第一個第二肖特基二極管位于距所述第一注入區中的所述第一個第一注入區第二距離處，所述第一距離小于所述第二距離。

4.根據權利要求2所述的電子器件，其中：

所述第一金屬陽極是與所述第二金屬陽極不同的材料。

5.根據權利要求4所述的電子器件，其中所述第一導電類型不同于所述第二導電類型。

6.根據權利要求1所述的電子器件，還包括多個歐姆接觸，每個歐姆接觸位于所述多個第一注入區中的一個第一注入區內。

7.根據權利要求6所述的電子器件，所述多個第一金屬陽極區中的每一個第一金屬陽極區位于所述多個歐姆接觸中的一個歐姆接觸上。

8.根據權利要求7所述的電子器件，還包括多個第三肖特基二極管，所述第三肖特基二極管位于相鄰的所述多個第一肖特基二極管中的第一肖特基二極管與所述多個第二肖特基二極管中的第二肖特基二極管之間，所述多個第三肖特基二極管在平衡時各自具有第三肖特基勢壘高度，所述第三肖特基勢壘高度大于所述第一肖特基勢壘高度、并且小于所述第二肖特基勢壘高度。

9.一種方法，包括：

從具有第一導電類型和表面的寬帶隙半導體的晶片制造垂直導電電子功率器件，所述晶片包括漂移區和多個第一注入區，所述多個第一注入區具有第二導電類型，并且從所述表面在所述漂移區中延伸，所述方法包括：

通過在所述表面上形成多個金屬部分來形成多個第一肖特基二極管和多個第二肖特基二極管，每個金屬部分在所述漂移區的多個表面部分處與所述漂移區肖特基接觸，所述第一肖特基二極管在平衡時具有高度不同于所述第二肖特基二極管的肖特基勢壘，形成所述多個金屬部分包括：

在多個第一注入區中的一個注入區上形成每個金屬部分，每個注入區具有與所述漂移區的界面，每個金屬部分具有與每個注入區和所述漂移區的界面間隔開的邊緣，每個金屬部分與所述多個第一注入區中的相應一個第一注入區接觸，并且與所述漂移區的所述表面接觸。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括：在所述表面部分處引入所述第一導電類型的摻雜劑物質。

11.根據權利要求9所述的方法，其中形成多個金屬部分包括：

沉積第一金屬材料的第一層；

圖案化所述第一層，以形成第一金屬部分，所述第一金屬部分與所述多個表面部分中的第一表面部分肖特基接觸；以及

沉積第二金屬材料的第二層。