[發明專利]一種半導體場效應管器件

有效

• 申請號: 202110792887.2
• 申請日: 2021-07-14
• 公開（公告）號: CN113257895B
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 李振道;孫明光;朱偉東
• 申請（專利權）人: 江蘇應能微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;陳麗麗

1.一種半導體場效應管器件，其特征在于，包括：主動區和環繞所述主動區設置的終端區，所述終端區為結終端結構，所述主動區包括多個間隔設置的溝槽，每相鄰兩個溝槽之間的間距均相同且均為第一距離，所述終端區包括終端環，所述終端環在拐角位置的形狀為圓弧狀，所述終端環朝向溝槽且與所述溝槽的深度方向垂直的表面形成波浪狀，所述終端環形成波浪狀的表面到所述溝槽的端面距離為第二距離，所述第一距離與所述第二距離相同。

2.根據權利要求1所述的半導體場效應管器件，其特征在于，位于所述主動區內的所述溝槽包括橫截面形狀為矩形的第一溝槽，所述終端環朝向所述第一溝槽且與所述第一溝槽的深度方向垂直的表面形成第一波浪狀。

3.根據權利要求1所述的半導體場效應管器件，其特征在于，位于所述主動區內的所述溝槽包括橫截面為矩形與半圓形連接組成的第二溝槽，所述終端環朝向所述第二溝槽且與所述第二溝槽的深度方向垂直的表面形成第二波浪狀。

4.根據權利要求1至3中任意一項所述的半導體場效應管器件，其特征在于，所述溝槽位于外延層內，所述溝槽包括：底部氧化層、設置在所述底部氧化層內側的源極多晶硅、設置在所述源極多晶硅上的多晶間氧化物以及設置在所述多晶間氧化物上的閘極多晶硅，所述閘極多晶硅外圍被閘極氧化物包覆，且所述閘極氧化物與所述底部氧化層接觸。

5.根據權利要求4所述的半導體場效應管器件，其特征在于，每相鄰兩個所述溝槽之間均包括設置在所述外延層上的P型摻雜區以及設置在所述P型摻雜區上的N型摻雜區。

6.根據權利要求5所述的半導體場效應管器件，其特征在于，所述半導體場效應管器件還包括設置在所述主動區和所述終端區上的介電層以及設置在所述介電層上的鋁金屬層。

7.根據權利要求6所述的半導體場效應管器件，其特征在于，所述介電層的厚度在8000?~15000?之間。

8.根據權利要求5所述的半導體場效應管器件，其特征在于，所述P型摻雜區的摻雜濃度在5*10¹²cm^-2~5*10¹³cm^-2之間，所述N型摻雜區的摻雜濃度在5*10¹⁴cm^-2~5*10¹⁶cm^-2之間。

9.根據權利要求4所述的半導體場效應管器件，其特征在于，所述底部氧化層的厚度在4000?~6000?之間。