[發(fā)明專利]一種應用于多種電壓的偏置電路結構

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• 申請日: 2021-07-13
• 公開（公告）號: CN113419590A
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發(fā)明（設計）人: 高雨竹;羅和平;文守甫;袁思彤;王佐
• 申請（專利權）人: 成都市硅海武林科技有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 成都正華專利代理事務所(普通合伙) 51229
• 代理人: 張小娟

1.一種應用于多種電壓的偏置電路結構，其特征在于，包括隨電源電壓變化的第一電流基準模塊以及不隨電源電壓變化的第二電流基準模塊；所述第一電流基準模塊的輸出端為具有負溫系數(shù)的電流基準NTC，所述第二電流基準模塊的輸出端為具有正溫系數(shù)的電流基準PTC；所述第一電流基準模塊的輸出端與所述第二電流基準模塊的輸出端為并聯(lián)結構，且所述并聯(lián)后的第一電流基準模塊的輸出端與所述第二電流基準模塊的輸出端作為偏置電路結構的輸出端。

2.根據(jù)權利要求1所述的應用于多種電壓的偏置電路結構，其特征在于，所述第一電流基準模塊包括電阻R1、電容C1、PMOS場效應管MP1和MP2以及NMOS場效應管MN1和MN2；

所述電阻R1的一端連接電源，所述電阻R1的另一端與所述NMOS場效應管MN1的漏極連接，所述NMOS場效應管MN1的柵極分別與所述NMOS場效應管MN1的漏極以及NMOS場效應管MN2的柵極連接，所述NMOS場效應管MN1的源極接地，所述NMOS場效應管MN2的源極接地，所述NMOS場效應管MN2的漏極與所述PMOS場效應管MP1的漏極連接，所述PMOS場效應管MP1的源極連接電源，所述PMOS場效應管MP1柵極分別與電容C1的一端、所述PMOS場效應管MP2的柵極以及NMOS場效應管MN2的漏極連接，所述電容C1的另一端連接電源，所述PMOS場效應管MP2的漏極為所述第一電流基準模塊的輸出端，并與所述第二電流基準模塊的輸出端并聯(lián)，所述PMOS場效應管MP2的源極連接電源。

3.根據(jù)權利要求2所述的應用于多種電壓的偏置電路結構，其特征在于，所述第一電流基準模塊的電阻電流表達式如下：

其中，I_NTC表示第一電流基準模塊的電阻電流，VCC表示電源電壓，VGS_MN1表示NMOS場效應管MN1的柵源電壓，R1表示電阻。

4.根據(jù)權利要求3所述的應用于多種電壓的偏置電路結構，其特征在于，所述第一電流基準模塊的電阻電流溫度系數(shù)的表達式如下：

其中，表示第一電流基準模塊電阻電流I_NTC關于電流溫度的求偏導系數(shù)，R與R1均表示電阻，T表示溫度，VGS_MN1表示NMOS場效應管MN1的柵源電壓，VCC表示電源電壓，TCR表示溫度系數(shù)，表示阻隨溫度的變化率。

5.根據(jù)權利要求4所述的應用于多種電壓的偏置電路結構，其特征在于，所述第二電流基準模塊包括啟動電路單元以及與所述啟動電路單元連接的核心基準單元。

6.根據(jù)權利要求5所述的應用于多種電壓的偏置電路結構，其特征在于，所述啟動電路單元包括電阻R2、PMOS場效應管MP3以及NMOS場效應管MN3和MN4；

所述PMOS場效應管MP3的源極連接電源，所述PMOS場效應管MP3的柵極連接電阻R2的一端，所述電阻R2的另一端接地，所述PMOS場效應管MP3的漏極分別與所述NMOS場效應管MN4的柵極以及NMOS場效應管MN3的漏極連接，所述NMOS場效應管MN3的源極接地，所述NMOS場效應管MN4的源極接地，所述NMOS場效應管MN4的漏極以及NMOS場效應管MN3的柵極均與所述核心基準單元連接。