[發明專利]一種基于納米波紋結構的納流控芯片的制備方法在審
| 申請號： | 202110791031.3 | 申請日： | 2021-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN113426500A | 公開（公告）日： | 2021-09-24 |
| 發明（設計）人： | 耿延泉;李子翰;閆永達 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | B01L3/00 | 分類號： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 哈爾濱龍科專利代理有限公司 23206 | 代理人： | 李智慧 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 納米 波紋 結構 納流控 芯片 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于納米波紋結構的納流控芯片的制備方法，其特征在于所述方法包括如下步驟：
步驟一、納米波紋結構加工
使用AFM在聚碳酸酯薄膜表面進行往復掃描加工，通過控制探針的運動軌跡得到納米波紋結構；
步驟二、納米通道陣列制備
以PDMS和固化劑為轉印材料，通過PDMS轉印得到帶有納米通道陣列的PDMS片；
步驟三、微通道模板制備
采用光刻法在單晶硅基底上加工微通道結構，通過PDMS轉印得到帶有微通道的PDMS片；
步驟四、微、納通道鍵合
采用氧等離子體清洗機對帶有納米通道陣列的PDMS片和帶有微通道的PDMS片進行鍵合，得到帶有納米通道陣列的納流控芯片。
2.根據權利要求1所述的基于納米波紋結構的納流控芯片的制備方法，其特征在于所述運動軌跡為Z形軌跡或矩形軌跡，掃描速度為10~120μm/s，進給量為10 ~50 nm。
3.根據權利要求1所述的基于納米波紋結構的納流控芯片的制備方法，其特征在于所述波紋結構由凸起和溝槽陣列組成，凸起高度大于溝槽深度。
4.根據權利要求3所述的基于納米波紋結構的納流控芯片的制備方法，其特征在于所述凸起高度為100~400nm。
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