[發明專利]寬帶SiGe BiCMOS低噪聲放大器

有效

• 申請號: 202110790736.3
• 申請日: 2021-07-13
• 公開（公告）號: CN113746441B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 梁煜;郭斐;張為
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: H03F1/56
• 分類號: H03F1/56;H03F1/26;H03F1/42
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 程毓英

1.一種寬帶SiGe BiCMOS低噪聲放大器，包括第一級密勒電容寬帶匹配電路和后級共基共射放大電路，其特征在于，

所述第一級密勒電容寬帶匹配電路，其輸入端接收信號輸入端的信號(IN)，將射頻信號放大后經過極間電容輸出到后級共基共射放大電路；

所述后級共基共射電路，其輸入端連接密勒電容寬帶匹配電路的輸出并將信號進行第二級共基共射放大電路、第三級共基共射放大電路進行兩級放大后，輸出至信號輸出端(OUT)；

所述密勒電容寬帶匹配電路包括：第一晶體管(Q1)，第一電阻(R1)，第一電感(L1)，第二電感(L2)，第一電容(C1)和第二電容(C2)；

其中，所述第一晶體管(Q1)的基極與第一電容(C1)的第一端連接；所述第一晶體管(Q1)的集電極分別與第一電感(L1)的第一端、第二電容(C2)的第一端連接；所述第一晶體管(Q1)的發射極與第二電感(L2)的第一端連接；所述第一電阻(R1)與第一電感(L1)的第二端連接。

2.根據權利要求1所述的放大器，其特征在于，采用0.13μm SiGe BiCMOS工藝實現。

3.根據權利要求1或2任意一項所述的寬帶SiGe BiCMOS低噪聲放大器，其特征在于，第二級共基共射放大電路包括：第二晶體管(Q2)，第四晶體管(Q4)，第三電感(L3)，第四電感(L4)，第三電容(C3)，第五電容(C5)；其中所述第二晶體管(Q2)的基極與第二電容(C2)的第二端連接；所述第二晶體管(Q2)的集電極與第四晶體管(Q4)的發射極連接；所述第二晶體管(Q2)的發射極與第四電感(L4)的第一端連接；所述第四晶體管(Q4)的集電極分別與第三電感(L3)的第一端、第三電容(C3)的第一端連接；所述第四晶體管(Q4)的基極與第五電容(C5)的第一端連接。

4.根據權利要求3所述的寬帶SiGe BiCMOS低噪聲放大器，其特征在于，所述第三級共基共射放大電路包括：第三晶體管(Q3)，第五晶體管(Q5)，第二電阻(R2)，第三電阻(R3,)第五電感(L5)，第六電感(L6)，第四電容(C4)，第六電容(C6)；其中

所述第三晶體管(Q3)的基極與第三電容(C3)的第二端連接；所述第三晶體管(Q3)的集電極與第五晶體管(Q5)的發射極連接；所述第三晶體管(Q3)的發射極與第六電感(L6)的第一端連接；所述第五晶體管(Q5)的集電極分別與第五電感(L5)的第一端、第四電容(C4)的第一端連接；所述第五晶體管(Q5)的基極與第六電容(C6)的第一端連接；所述第二電阻(R2)的第一端與第五電感(L5)的第二端連接；所述第三電阻(R3)的第一端與第四電容(C4)的第二端連接。

5.根據權利要求4所述的寬帶SiGe BiCMOS低噪聲放大器，其特征在于，

所述第一電阻(R1)的第二端與電源VDD連接；所述第二電阻(R2)的第二端與電源VDD連接；所述第三電感(L3)的第二端與電源VDD連接；所述第五電容(C5)的第二端與電源VDD連接；所述第六電容(C6)的第二端與電源VDD連接；所述第四晶體管(Q4)的基極與電源VDD連接；所述第五晶體管(Q5)的基極與電源VDD連接；

所述第二電感(L2)的第二端與地連接；所述第四電感(L4)的第二端與地連接；所述第六電感(L6)的第二端與地連接；所述第五電容(C5)的第二端與地連接；所述第六電容(C6)的第二端與地連接；所述第三電阻(R3)的第二端與地連接；

所述第一晶體管(Q1)的基極與偏置電壓Vbias1連接；

所述第二晶體管(Q2)的基極與偏置電壓Vbias2連接；

所述第三晶體管(Q3)的基極與偏置電壓Vbias3連接；

所述信號輸入端(IN)連接第一電容(C1)的第二端；

所述第四電容(C4)的第二端、第三電阻(R3)的第一端連接信號輸出端(OUT)。

6.根據權利要求4所述的寬帶SiGe BiCMOS低噪聲放大器，其特征在于，所述第一晶體管(Q1)、第二晶體管(Q2)、第三晶體管(Q3)、第四晶體管(Q4)和第五晶體管(Q5)均為npn型異質結雙極晶體管。