[發明專利]具有非對稱金屬合金薄膜結構的高溫傳感器及制作方法

在審

• 申請號: 202110790120.6
• 申請日: 2021-07-13
• 公開（公告）號: CN113551794A
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 董波
• 申請（專利權）人: 深圳技術大學
• 主分類號: G01K7/18
• 分類號: G01K7/18;G01K1/12
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 盧澤明

1.具有非對稱金屬合金薄膜結構的高溫傳感器，其特征在于，包括：

鉑金屬傳感器本體，所述鉑金屬傳感器本體上涂覆有非對稱金屬合金薄膜結構，所述非對稱金屬合金薄膜結構具有薄膜層以及厚膜層，所述薄膜層覆蓋部分的面積為所述鉑金屬傳感器本體面積的一半，所述厚膜層覆蓋部分的面積為所述鉑金屬傳感器本體面積的另一半；

所述薄膜層的厚度為100-300nm，所述厚膜層的厚度為50-100um。

2.根據權利要求1所述的具有非對稱金屬合金薄膜結構的高溫傳感器，其特征在于：

所述非對稱金屬合金薄膜結構為非對稱鎳錳合金薄膜結構，所述薄膜層是厚度為100-300nm的鎳錳合金薄膜，所述厚膜層是厚度為50-100um的鎳錳合金薄膜。

3.根據權利要求2所述的具有非對稱金屬合金薄膜結構的高溫傳感器，其特征在于：

所述薄膜層的厚度為200nm，所述厚膜層的厚度為100um。

4.根據權利要求2所述的具有非對稱金屬合金薄膜結構的高溫傳感器，其特征在于：

所述薄膜層與所述厚膜層位置不在同一水平高度上，并形成非對稱位置結構，所述薄膜層靠近于所述鉑金屬傳感器本體的接線端設置，所述厚膜層相對于所述薄膜層遠離于所述鉑金屬傳感器本體的接線端設置。

5.根據權利要求1至4任一項所述的具有非對稱金屬合金薄膜結構的高溫傳感器，其特征在于：

在所述鉑金屬傳感器本體的接線端涂覆有薄膜絕緣層。

6.根據權利要求5所述的具有非對稱金屬合金薄膜結構的高溫傳感器，其特征在于：

所述薄膜絕緣層是厚度為100-300nm的鎳錳合金薄膜。

7.根據權利要求5所述的具有非對稱金屬合金薄膜結構的高溫傳感器，其特征在于：

所述薄膜絕緣層是厚度為200nm的鎳錳合金薄膜。

8.根據權利要求5至7任一項所述的具有非對稱金屬合金薄膜結構的高溫傳感器，其特征在于：

所述鉑金屬傳感器本體的接線端為引線電極。

9.具有非對稱金屬合金薄膜結構的高溫傳感器的制作方法，其特征在于，所述高溫傳感器是采用上述權利要求1至8任一項所述的高溫傳感器，所述方法包括以下步驟：

采用磁控濺射鍍膜工藝利用鎳錳合金靶材，通過控制鍍膜時間來控制鍍膜的厚度對鉑金屬傳感器進行鍍膜；

在鍍膜過程中，首先，在鉑金屬傳感器本體第一面積上涂覆薄膜層，鍍膜厚度為100-300nm，在鉑金屬傳感器本體第二面積上使用光刻膠遮擋，在鍍膜完成后，使用有機溶劑將光刻膠剝離；

然后，使用光刻膠遮擋鍍好的薄膜層，在鉑金屬傳感器本體第二面積上涂覆厚膜層，鍍膜厚度為50-100um，兩者對應的區域就會形成不同的膜層厚度，從而構成非對稱金屬合金薄膜結構。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于：

當在鉑金屬傳感器本體第二面積上鍍膜完成后，使用有機溶劑將光刻膠剝離。