[發明專利]等離子體蝕刻系統在審
| 申請號： | 202110788799.5 | 申請日： | 2021-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN114121587A | 公開（公告）日： | 2022-03-01 |
| 發明（設計）人： | 楊建勛;楊建倫;張克正;喻鵬飛 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/311 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 任蕓蕓;鄭特強 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 蝕刻 系統 | ||
【權利要求書】：
1.一種等離子體蝕刻系統，包括：
一腔室；
一芯片保持器，在該腔室中，配置以保持一芯片，該芯片上設置有一金屬氧化物；
一等離子體產生器，配置以從一氣體產生一等離子體；
一柵系統，配置以增加來自該等離子體的數個離子的一動能；以及
一中和器，配置以產生數個電子，以中和多個所述離子，且配置以產生數個自由基，以促進該金屬氧化物的蝕刻。
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