[發明專利]一種基于多級場板的超結終端結構在審
| 申請號： | 202110787200.6 | 申請日： | 2021-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN113488529A | 公開（公告）日： | 2021-10-08 |
| 發明（設計）人： | 趙建明;張宜堯;陳龍;陳彥旭;陳勇;徐開凱 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/40 | 分類號： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 多級 終端 結構 | ||
1.一種基于多級場板的超結終端結構，其特征在于，從器件邊緣向器件元胞方向依次為終端區II和元胞區I，所述終端區II和元胞區I共用第一導電類型重摻雜襯底、第一導電類型外延層和漏極金屬；
終端區II包括：位于所述第一導電類型外延層中的多個通過第一導電類型外延層相隔離的相互獨立的第二導電類型重摻雜摻雜柱區，位于器件邊緣且在所述第一導電類型外延層上層的截止環，位于所述第一導電類型外延層之上呈互補排列的四層金屬場板和場氧層；
元胞區I包括：位于所述第一導電類型外延層中的多個通過第一導電類型外延層相隔離的相互獨立的第二導電類型重摻雜摻雜柱區，位于所述第二導電類型重摻雜摻雜柱區上方的第二導電類型重摻雜基區，位于所述第二導電類型重摻雜基區內的第二導電類型重摻雜源區，位于所述第二導電類型重摻雜基區內且在第二導電類型重摻雜源區兩側的第一導電類型源區，位于所述第一導電類型外延層之上且在第一導電類型源區之間的柵及其氧化層，位于所述第一導電類型外延層之上的源極金屬層。
2.根據權利要求1所述的一種基于多級場板的超結終端結構，其特征在于，所述場氧層和金屬場板都呈叉指狀且互相交叉排列。
3.根據權利要求1所述的一種基于多級場板的超結終端結構，其特征在于，所述四層金屬場板的長度呈1:2:3:4的關系。
4.根據權利要求1到權利要求3所述的一種基于多級場板的超結終端結構，其特征在于，所述金屬場板的右端具有多層向外延伸的金屬層，且每層厚度相等，任意相鄰金屬層的間距相同。
5.根據權利要求1到權利要求4所述的一種基于多級場板的超結終端結構，其特征在于，所述金屬場板的層數可以隨終端區II的長度而變化，可以是2、3、4，也可以是5、6，甚至更大。
6.根據權利要求1至5任意一項所述的一種基于多級場板的超結終端結構，其特征在于：第一導電類型為N型，第二導電類型為P型；或者第一導電類型為P型，第二導電類型為N型。
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