[發明專利]一種無裂紋氫化鋯中子慢化材料的制備方法有效
| 申請號： | 202110786996.3 | 申請日： | 2021-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN113501716B | 公開（公告）日： | 2022-11-29 |
| 發明（設計）人： | 李歡;劉承澤;吳俊宇;吳金平;汪舸;劉后龍;張于勝;潘曉龍 | 申請（專利權）人： | 西安稀有金屬材料研究院有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/515 | 分類號： | C04B35/515;C04B35/622;C04B35/64;G21C5/12 |
| 代理公司： | 西安創知專利事務所 61213 | 代理人： | 馬小燕 |
| 地址： | 710016 陜西省西安市西安經濟*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 裂紋 氫化 中子 慢化 材料 制備 方法 | ||
1.一種無裂紋氫化鋯中子慢化材料的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
步驟一、將氫化鋯粉末進行冷壓壓制，得到氫化鋯坯料；所述冷壓壓制采用的壓力為150MPa~300MPa，保壓時間為3min~10min；
步驟二、將步驟一中得到的氫化鋯坯料放置于高溫氫化爐中，并持續通入氫氣進行粉末冶金燒結，取出后得到無裂紋氫化鋯中子慢化材料；所述氫化鋯坯料裝入坩堝中后放置于高溫氫化爐中，抽真空后向高溫氫化爐中以0.2L/min~1.0L/min的流速持續通入氫氣直至取出，且氫氣的壓力不低于0.1MPa；所述粉末冶金燒結的具體過程為：先以5℃/min~10℃/min的速度從室溫升溫至500℃~700℃，然后以2℃/min~5℃/min的速度升溫至800℃~1100℃并保溫1h~6h，再以0.1℃/min~0.5℃/min的速度降溫至500℃~700℃，最后隨爐冷卻至室溫并停止通入氫氣；所述無裂紋氫化鋯中子慢化材料的密度不小于5.60g/cm3，氫鋯原子比不小于1.60，且表面無涂層。
2.根據權利要求1所述的一種無裂紋氫化鋯中子慢化材料的制備方法，其特征在于，步驟一中所述氫化鋯粉末的粒徑為250~500目，所述氫化鋯粉末中 Zr、Hf和H的總質量含量大于99.00%，且H的質量含量大于1.60%，Fe的質量含量不超過0.15%，Si的質量含量不超過0.01%，Mg的質量含量不超過0.058%。
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