[發(fā)明專利]輻照系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110786851.3 | 申請(qǐng)日: | 2021-07-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113470861A | 公開(公告)日: | 2021-10-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 崔愛軍;張立鋒;朱志斌;竇玉玲;劉保杰;秦成 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)原子能科學(xué)研究院 |
| 主分類號(hào): | G21K5/00 | 分類號(hào): | G21K5/00;G21K5/10;A61L2/08 |
| 代理公司: | 北京市創(chuàng)世宏景專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11493 | 代理人: | 劉向輝 |
| 地址: | 102413 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 輻照 系統(tǒng) | ||
1.一種輻照系統(tǒng),其特征在于,包括:
輻照裝置(100),用于形成輻照被輻照物的輻照區(qū);
束下傳輸系統(tǒng)(200),用于將所述被輻照物運(yùn)輸至所述輻照區(qū);
輻照通道(300),用于放置所述輻照裝置(100)和所述束下傳輸系統(tǒng)(200);
屏蔽裝置(400),設(shè)置于束下傳輸系統(tǒng)(200)的兩側(cè)及頂部,以屏蔽所述輻照裝置(100)產(chǎn)生的輻射射線;
其中,所述輻照通道(300)為回字型迷宮通道。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻照系統(tǒng),其特征在于,所述屏蔽裝置(400)包括:
外層屏蔽體(410),所述外層屏蔽體(410)安裝于所述束下傳輸系統(tǒng)(200)的四周和頂部,以屏蔽所述輻照裝置(100)產(chǎn)生的射線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的輻照系統(tǒng),其特征在于,
所述外層屏蔽體(410)包括依次連接的第一外層屏蔽體(411)、第二外層屏蔽體(412)、第三外層屏蔽體(413)、第四外層屏蔽體(414)和第五外層屏蔽體(415),以圍成放置所述輻照系統(tǒng)的空間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的輻照系統(tǒng),其特征在于,
所述第一外層屏蔽體(411)與所述第二外層屏蔽體(412)垂直設(shè)置;
所述第二外層屏蔽體(412)與所述第三外層屏蔽體(413)垂直設(shè)置;
所述第三外層屏蔽體(413)與所述第四外層屏蔽體(414)垂直設(shè)置;
所述第四外層屏蔽體(414)與所述第五外層屏蔽體(415)垂直設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的輻照系統(tǒng),其特征在于,
所述第二外層屏蔽體(412)與所述第四外層屏蔽體(414)位于所述第三外層屏蔽體(413)的同一側(cè);
所述第一外層屏蔽體(411)與所述第三外層屏蔽體(413)位于所述第二外層屏蔽體(412)的同一側(cè);
所述第三外層屏蔽體(413)與所述第五外層屏蔽體(415)位于所述第四外層屏蔽體(414)的同一側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的輻照系統(tǒng),其特征在于,所述第二外層屏蔽體(412)的長(zhǎng)度與所述第四外層屏蔽體(414)的長(zhǎng)度相等。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的輻照系統(tǒng),其特征在于,
所述第三外層屏蔽體(413)包括依次連接的第一外層模塊(4131)、第二外層模塊(4132)和第三外層模塊(4133);
其中,所述第一外層模塊(4131)與所述第二外層那個(gè)屏蔽體連接;
所述第三外層模塊(4133)與所述第四外層屏蔽體(414)連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的輻照系統(tǒng),其特征在于,所述外層屏蔽體(410)為“口”字型結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的輻照系統(tǒng),其特征在于,所述屏蔽裝置(400)還包括:
中層屏蔽體(420),所述中層屏蔽體(420)安裝于所述外層屏蔽體(410)的內(nèi)部,以屏蔽所述輻照裝置(100)產(chǎn)生的射線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的輻照系統(tǒng),其特征在于,所述中層屏蔽體(420)包括依次連接的第一中層屏蔽體(421)、第二中層屏蔽體(422)和第三中層屏蔽體(423)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的輻照系統(tǒng),其特征在于,
自所述第二中層屏蔽體(422)向所述外層屏蔽體(410)延伸設(shè)置有隔斷屏蔽體(424),所述隔斷屏蔽體(424)與所述第二中層屏蔽體(422)垂直。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)原子能科學(xué)研究院,未經(jīng)中國(guó)原子能科學(xué)研究院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110786851.3/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





