[發明專利]壓電MEMS揚聲系統在審
| 申請號： | 202110786779.4 | 申請日： | 2021-07-12 |
| 公開（公告）號： | CN113840217A | 公開（公告）日： | 2021-12-24 |
| 發明（設計）人： | 張孟倫 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | H04R17/00 | 分類號： | H04R17/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京漢智嘉成知識產權代理有限公司 11682 | 代理人： | 姜勁;谷惠敏 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓電 mems 揚聲 系統 | ||
1.一種壓電MEMS揚聲系統，其特征在于，包括：
至少一個壓電MEMS揚聲器；以及，
至少一個變壓器，所述變壓器用于接收音頻信號輸入，以及用于驅動所述壓電MEMS揚聲器。
2.根據權利要求1所述的系統，其特征在于，所述壓電MEMS揚聲器的數量不少于所述變壓器的數量。
3.根據權利要求1所述的系統，其特征在于，所述系統中還包括動圈揚聲器和/或動鐵揚聲器。
4.根據權利要求3所述的系統，其特征在于，
所述音頻信號輸入與所述動圈揚聲器和/或動鐵揚聲器直接相連；或者，
所述音頻信號輸入經過所述變壓器與所述動圈揚聲器和/或動鐵揚聲器間接相連。
5.根據權利要求1所述的系統，其特征在于，所述變壓器的初級線圈或者次級線圈，與如下的一種元件或多種元件串聯或者并聯：電容、電阻、電感。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的系統，其特征在于，所述變壓器的初級線圈連接所述音頻信號輸入，所述變壓器的次級線圈連接所述壓電MEMS揚聲器，所述變壓器的初級線圈匝數小于等于次級線圈匝數。
7.根據權利要求1至5中任一項所述的系統，其特征在于，所述壓電MEMS揚聲器的邊長小于等于20mm。
8.根據權利要求1至5中任一項所述的系統，其特征在于，所述變壓器為音頻變壓器，其最大面的面積小于等于所述壓電MEMS揚聲器任一面面積的2倍，或其最大邊長小于等于所述壓電MEMS揚聲器最大邊長的2倍。
9.根據權利要求1至5中任一項所述的系統，其特征在于，所述壓電MEMS揚聲器的工作頻率為20Hz至20kHz。
10.根據權利要求1至5中任一項所述的系統，其特征在于，所述變壓器的初級線圈匝數與次級線圈匝數的比值為1:1至1:10000。
11.根據權利要求1至5中任一項所述的系統，其特征在于，所述壓電MEMS揚聲器的電容值為0.1nF至1μF。
12.根據權利要求1至5中任一項所述的系統，其特征在于，所述變壓器的初級電感為0.01mH至5H或者0.1mH至10mH。
13.根據權利要求1至5中任一項所述的系統，其特征在于，所述系統的輸入阻抗大于20歐姆或者大于100歐姆。
14.根據權利要求1至5中任一項所述的系統，其特征在于，所述系統的諧振點fr處的輸入阻抗大于200歐姆或者大于2000歐姆。
15.根據權利要求1至5中任一項所述的系統，其特征在于，所述壓電MEMS揚聲器為振膜垂直振動型或者振膜平面振動型。
16.根據權利要求1至5中任一項所述的系統，其特征在于，還包括基板，所述壓電MEMS揚聲器和所述變壓器設置在所述基板兩側。
17.根據權利要求1至5中任一項所述的系統，其特征在于，所述壓電MEMS揚聲器包括壓電薄膜，以及包括硅基底或硅框架。
18.根據權利要求1至5中任一項所述的系統，其特征在于，所述系統的電學諧振點Fr在所述壓電MEMS揚聲器工作頻段中，或所述系統的電學諧振點Fr在20Hz到20kHz之間。
19.根據權利要求1至5中任一項所述的系統，其特征在于，所述系統的電學諧振點Fr小于所述壓電MEMS揚聲器工作頻段的最低頻率，或所述系統的電學諧振點Fr小于1kHz。
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