[發明專利]N型TOPCon太陽能電池的制作方法在審
| 申請號: | 202110785634.2 | 申請日: | 2021-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN113571411A | 公開(公告)日: | 2021-10-29 |
| 發明(設計)人: | 袁玲;王芹芹;瞿輝;曹玉甲 | 申請(專利權)人: | 江蘇順風新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/223 | 分類號: | H01L21/223;H01L21/311;H01L31/20;H01L21/67 |
| 代理公司: | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人: | 朱曉凱 |
| 地址: | 213123 江蘇省常州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | topcon 太陽能電池 制作方法 | ||
1.一種N型TOPCon太陽能電池的制作方法,其特征在于包括如下步驟:
(a)、雙面制絨
(b)、單面硼擴散:利用低壓擴散爐,雙片合并插入水平舟的石英舟齒中,源量為:60sccm-150sccm,使用BCl3:O2:N2=1:5-15:20-40的流量比例在低壓下進行分步遞溫式沉積擴散;而后降溫至700℃-800℃,降溫20min-50min,在降溫的過程中通入2L-20L氧氣進行氧化,控制氧化層BSG厚度在20nm-50nm;
(c)、背面酸刻蝕;
(d)、本征多晶硅;
(e)、雙面磷摻雜;
(f)、去除正面PSG及本征多晶硅;
(g)、去除背面PSG及正面BSG;
(h)、鈍化;
(i)、雙面印刷。
2.根據權利要求1所述的N型TOPCon太陽能電池的制作方法,其特征在于:步驟(b)中所述分步遞溫式沉積擴散具體為:第一步,在低壓下先在溫度840-850℃進行沉積,時間3-8min,再升高溫度至860-880℃,在氮氣保護下進行高溫推進8-12min;第二步,在低壓下先在溫度860-880℃進行沉積,時間為6-10min,隨后升溫至890-910℃同樣在氮氣保護下進行高溫推進8-12min;第三步,在低壓下,再使用960℃進行高溫推進8-12min。
3.根據權利要求2所述的N型TOPCon太陽能電池的制作方法,其特征在于:所述第一步升溫推進的溫度與第二步沉積的溫度相同。
4.根據權利要求1或2所述的N型TOPCon太陽能電池的制作方法,其特征在于:步驟(b)中所述的低壓是指真空壓力為390-410mbar。
5.根據權利要求1所述的N型TOPCon太陽能電池的制作方法,其特征在于:步驟(f)中去除正面PSG具體為:配比清洗液,使清洗液中氟化銨與氟化氫的濃度比為5-30:1,使用鏈式清洗機去除正面的PSG。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





