[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110785220.X
• 申請(qǐng)日: 2021-07-12
• 公開（公告）號(hào): CN113506776B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳鋒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H10B12/00
• 分類號(hào): H10B12/00;H01L21/033
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 郭鳳杰

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：

提供基片，所述基片包括襯底與掩膜層，所述襯底內(nèi)形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)將所述襯底隔離出多個(gè)間隔排布的有源區(qū)，所述掩膜層位于所述襯底上，且包括至少一層膜層，且所述基片具有位線接觸原始孔，所述位線接觸原始孔自所述掩膜層表面延伸至所述有源區(qū)內(nèi)；

于所述位線接觸原始孔內(nèi)填充犧牲掩膜；

基于所述犧牲掩膜去除至少一層所述掩膜層，剩余的所述位線接觸原始孔構(gòu)成位線接觸孔，剩余的所述位線接觸原始孔構(gòu)成的位線接觸孔的深度低于原位線接觸原始孔的深度；

去除所述犧牲掩膜；

形成位線接觸材料層，所述位線接觸材料層填充所述位線接觸孔，且用于形成位線接觸結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述基片的形成方法包括：

提供所述襯底；

于所述襯底上形成掩膜材料層；

對(duì)所述掩膜材料層進(jìn)行圖形化以形成所述掩膜層，所述掩膜層內(nèi)形成有開口，所述開口定義出所述位線接觸原始孔的位置及形狀；

基于所述掩膜層進(jìn)行刻蝕，以形成所述位線接觸原始孔。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，

所述于所述襯底上形成掩膜材料層之前，還包括：

于所述襯底上形成隔離材料層；

所述基于所述掩膜層進(jìn)行刻蝕，以形成所述位線接觸原始孔，包括：

基于所述掩膜層刻蝕所述隔離材料層，剩余的所述隔離材料層構(gòu)成隔離層；

基于所述掩膜層以及所述隔離層進(jìn)行刻蝕，以形成所述位線接觸原始孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，

所述形成位線接觸材料層，包括：

于所述隔離層表面以及所述位線接觸孔內(nèi)形成所述位線接觸材料層；

所述形成位線接觸材料層之后，還包括：

去除所述隔離層表面的所述位線接觸材料層，剩余的所述位線接觸材料層構(gòu)成位線接觸結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述于所述襯底上形成隔離材料層之前，還包括：

于所述襯底上形成絕緣材料層；

所述基于所述掩膜層以及所述隔離層進(jìn)行刻蝕，以形成所述位線接觸原始孔，包括：

基于所述掩膜層以及所述隔離層刻蝕所述絕緣材料層，剩余的所述絕緣材料層構(gòu)成絕緣介質(zhì)層；

基于所述掩膜層、所述隔離層以及所述絕緣介質(zhì)層刻蝕所述襯底，以形成所述位線接觸原始孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)層包括第一氧化層。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述隔離層包括氮化硅層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述于所述位線接觸原始孔內(nèi)填充犧牲掩膜，包括：

于所述掩膜層表面以及所述位線接觸原始孔內(nèi)形成犧牲材料層；

去除所述掩膜層表面的所述犧牲材料層，剩余的所述犧牲材料層構(gòu)成所述犧牲掩膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述于所述掩膜層表面以及所述位線接觸原始孔內(nèi)形成犧牲材料層，包括：

通過流體化學(xué)氣相沉積法于所述掩膜層表面以及所述位線接觸原始孔內(nèi)沉積所述犧牲材料層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述犧牲掩膜的材料為旋涂碳。