[發(fā)明專利]一種提升壓力傳感器用敏感元件阻抗特性的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110784496.6 | 申請(qǐng)日： | 2021-07-12 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN113514172A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-10-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 熊德文 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 盛瑞新晶體科技（東莞）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01L1/16 | 分類號(hào)： | G01L1/16;G01L9/08 |
| 代理公司： | 重慶百潤(rùn)洪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 50219 | 代理人： | 沈鋒 |
| 地址： | 523846 廣東省東莞市長(zhǎng)*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提升 壓力 傳感 器用 敏感 元件 阻抗 特性 方法 | ||
1.一種提升壓力傳感器用敏感元件阻抗特性的方法，其特征在于：包括步驟：
(1)設(shè)置多組壓電晶片測(cè)試組，各組壓電晶片測(cè)試組中的壓電晶片的上下表面粗糙度和側(cè)面粗糙度均不完全相同；
(2)將上下表面粗糙度不同但側(cè)面粗糙度相同的壓電晶片作為對(duì)照組，在相同的壓力和相同的測(cè)試電壓下對(duì)對(duì)照組進(jìn)行阻抗檢測(cè)，獲得對(duì)照組中的所有壓電晶片的阻抗值；
(3)將上下表面粗糙度相同但側(cè)面粗糙度不同的壓電晶片作為對(duì)照組，在相同的壓力和相同的測(cè)試電壓下對(duì)對(duì)照組進(jìn)行阻抗檢測(cè)，獲得對(duì)照組中的所有壓電晶片的阻抗值；
(4)獲得上下表面粗糙度和側(cè)面粗糙度與壓電晶片的關(guān)系，并獲得符合預(yù)期值的壓電晶片的上下表面粗糙度和側(cè)面粗糙度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升壓力傳感器用敏感元件阻抗特性的方法，其特征在于：所述壓電晶片測(cè)試組包括設(shè)置在壓電晶片上下側(cè)面的電極帶、設(shè)置在電極帶外側(cè)的絕緣帶、設(shè)置在絕緣帶外側(cè)的標(biāo)準(zhǔn)塊和阻抗儀，阻抗儀的接線端子分別與兩個(gè)電極帶連接，標(biāo)準(zhǔn)塊在外部壓力的情況下將受力均勻地傳遞至最中央的壓電晶片上，阻抗儀通過(guò)端子輸出250V測(cè)試電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升壓力傳感器用敏感元件阻抗特性的方法，其特征在于：所述壓電晶片為圓形或者方形，所述壓電晶片的頂面、底面和側(cè)面的粗糙度均小于350nm；圓形壓電晶片的直徑范圍在6mm-15mm之間，厚度范圍在0.8mm-5mm之間；方形壓電晶片的邊長(zhǎng)范圍在6mm-30mm之間，厚度范圍在1mm-5mm之間，所述壓電晶片的側(cè)邊經(jīng)過(guò)倒角處理，所述壓電晶片的上下表面為受力面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升壓力傳感器用敏感元件阻抗特性的方法，其特征在于：符合預(yù)期的所述壓電晶片的上下表面的粗糙度在190nm-250nm之間，側(cè)面的粗糙度在600nm-720nm之間時(shí)，所述壓電晶片受特定壓力且在250V電壓下的阻抗在700MΩ-5GΩ之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升壓力傳感器用敏感元件阻抗特性的方法，其特征在于：符合預(yù)期的所述壓電晶片的上下表面的粗糙度在190nm-250nm之間，側(cè)面的粗糙度在350nm-500nm之間時(shí)，所述壓電晶片受特定壓力且在250V電壓下的阻抗在1GΩ-5GΩ之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升壓力傳感器用敏感元件阻抗特性的方法，其特征在于：符合預(yù)期的所述壓電晶片的上下表面的粗糙度小于10nm，側(cè)面的粗糙度在600nm-720nm之間時(shí)，所述壓電晶片受特定壓力且在250V電壓下的阻抗在900mΩ-5GΩ之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升壓力傳感器用敏感元件阻抗特性的方法，其特征在于：符合預(yù)期的所述壓電晶片的上下表面的粗糙度在190nm-250nm之間，側(cè)面的粗糙度小于等于200nm之間時(shí)，壓電晶片受特定壓力且在250V電壓下的阻抗大于等于10GΩ。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升壓力傳感器用敏感元件阻抗特性的方法，其特征在于：符合預(yù)期的所述壓電晶片的上下表面的粗糙度小于等于10nm，側(cè)面的粗糙度在200nm-350nm之間時(shí)，所述壓電晶片受特定壓力且在250V電壓下的阻抗大于等于8GΩ。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升壓力傳感器用敏感元件阻抗特性的方法，其特征在于：符合預(yù)期的所述壓電晶片的上下表面的粗糙度小于等于10nm，側(cè)面的粗糙度小于200nm時(shí)，所述壓電晶片受特定壓力且在250V電壓下的阻抗大于等于12GΩ。
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G01L 測(cè)量力、應(yīng)力、轉(zhuǎn)矩、功、機(jī)械功率、機(jī)械效率或流體壓力
G01L1-00 力或應(yīng)力的一般計(jì)量
G01L1-02 .利用液壓或氣動(dòng)裝置
G01L1-04 .通過(guò)測(cè)量量規(guī)的彈性變形，例如，彈簧的變形
G01L1-06 .通過(guò)測(cè)量量規(guī)的永久變形，例如，測(cè)量被壓縮物體的永久變形
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