[發明專利]一種紅外濾光片及其制備方法、紅外氣體傳感器

有效

• 申請號: 202110781672.0
• 申請日: 2021-07-12
• 公開（公告）號: CN113238311B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: 何虎;張杰;許晴;于海洋;李蕾鳴;劉盼盼
• 申請（專利權）人: 翼捷安全設備（昆山）有限公司
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20;G01N21/3504;C23C14/24;C23C14/16;C23C14/06
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種二氟甲烷氣體檢測用紅外濾光片，其特征在于，包括：

基底、主膜系結構和截止膜系結構，所述主膜系結構和所述截止膜系結構分別位于所述基底的兩側；

所述主膜系結構包括：

Sub/HLH2LHLHLHL2HLHLHLH2LH2L/Air；

所述截止膜系結構包括：

Sub/0.18(HL)⁵0.26(HL)⁷0.4(HL)⁷0.55(HL)⁷0.75(HL)⁸1.45(0.5LH0.5L)⁷/Air；

其中，Sub表示所述基底，Air表示空氣，H表示四分之一波長光學厚度的Ge膜層，L表示四分之一波長光學厚度的ZnS膜層，膜系結構式中的數字表示膜層厚度系數，膜系結構式中的指數表示膜堆重復的次數，設計波長為9400nm，所述設計波長為中心波長，所述四分之一波長光學厚度為四分之一中心波長的光學厚度。

2.根據權利要求1所述的二氟甲烷氣體檢測用紅外濾光片，其特征在于，

所述二氟甲烷氣體檢測用紅外濾光片的中心波長為9400±60nm，通帶寬度為460±40nm，峰值透射率大于78%，且在1500nm~8800nm和9900nm~18000nm的截止區的最大透射率小于1%。

3.根據權利要求1所述的二氟甲烷氣體檢測用紅外濾光片，其特征在于，所述基底的材料包括單晶硅或單晶鍺。

4.根據權利要求1所述的二氟甲烷氣體檢測用紅外濾光片，其特征在于，所述基底的厚度為D1，其中，0.4mm≤D1≤0.6mm。

5.一種紅外氣體傳感器，其特征在于，包括權利要求1-4任一項所述的二氟甲烷氣體檢測用紅外濾光片。

6.一種二氟甲烷氣體檢測用紅外濾光片的制備方法，用于制備權利要求1-4任一項所述的二氟甲烷氣體檢測用紅外濾光片，其特征在于，包括：

在真空狀態下對基底進行烘烤；

在所述基底的一側鍍制主膜系結構，所述主膜系結構包括Sub/HLH2LHLHLHL2HLHLHLH2LH2L/Air；

在所述基底的另一側鍍制截止膜系結構，所述截止膜系結構包括Sub/0.18(HL)⁵0.26(HL)⁷0.4(HL)⁷0.55(HL)⁷0.75(HL)⁸1.45(0.5LH0.5L)⁷/Air，其中，Sub表示基底，Air表示空氣，H表示四分之一波長光學厚度的Ge膜層，L表示四分之一波長光學厚度的ZnS膜層，膜系結構式中的數字表示膜層厚度系數，膜系結構式中的指數表示膜堆重復的次數，設計波長為9400nm，所述設計波長為中心波長，所述四分之一波長光學厚度為四分之一中心波長的光學厚度。

7.根據權利要求6所述的二氟甲烷氣體檢測用紅外濾光片的制備方法，其特征在于，

在所述基底的一側鍍制主膜系結構，包括：

在所述基底的一側交替蒸發Ge膜料和蒸發ZnS膜料，形成交替層疊的Ge膜層和ZnS膜層；其中，采用電子束蒸發工藝蒸發所述Ge膜料，采用電阻蒸發工藝蒸發所述ZnS膜料，所述Ge膜層的鍍膜速率為0.4nm/s~0.6nm/s，所述ZnS膜層的鍍膜速率為1nm/s~2nm/s；

在所述基底的另一側鍍制截止膜系結構，包括：

在所述基底的另一側交替蒸發Ge膜料和蒸發ZnS膜料，形成交替層疊的Ge膜層和ZnS膜層；其中，采用電子束蒸發工藝蒸發所述Ge膜料，采用電阻蒸發工藝蒸發所述ZnS膜料，所述Ge膜層的鍍膜速率為0.4nm/s~0.6nm/s，所述ZnS膜層的鍍膜速率為1nm/s~2nm/s。