[發(fā)明專利]超穎光學(xué)器件和包括超穎光學(xué)器件的電子裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110781609.7
• 申請(qǐng)日: 2021-07-08
• 公開（公告）號(hào): CN114200554A
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 文祥銀;樸賢秀;樸賢圣;韓承勛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G02B3/00
• 分類號(hào): G02B3/00;G02B5/00;B82Y20/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 吳曉兵

1.一種超穎光學(xué)器件，包括：

多個(gè)相位調(diào)制區(qū)域，沿第一方向布置并被配置為對(duì)入射光的相位進(jìn)行調(diào)制，所述多個(gè)相位調(diào)制區(qū)域中的每一個(gè)包括多個(gè)納米結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)納米結(jié)構(gòu)的形狀和布置是根據(jù)針對(duì)所述多個(gè)相位調(diào)制區(qū)域中的每一個(gè)所設(shè)置的相應(yīng)規(guī)則而確定的；以及

補(bǔ)償區(qū)域，位于所述多個(gè)相位調(diào)制區(qū)域中的彼此相鄰的第k相位調(diào)制區(qū)域和第(k+1)相位調(diào)制區(qū)域之間并包括補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，所述補(bǔ)償結(jié)構(gòu)用于根據(jù)所述第k相位調(diào)制區(qū)域和所述第(k+1)相位調(diào)制區(qū)域的相應(yīng)規(guī)則來緩沖在所述第k相位調(diào)制區(qū)域和所述第(k+1)相位調(diào)制區(qū)域之間的邊界區(qū)域中發(fā)生的有效折射率變化，

其中N是所述多個(gè)相位調(diào)制區(qū)域的數(shù)量，k和N是自然數(shù)，并且K等于或大于1且小于N。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超穎光學(xué)器件，其中，所述第k相位調(diào)制區(qū)域和所述第(k+1)相位調(diào)制區(qū)域被配置為對(duì)入射光的相位進(jìn)行調(diào)制以根據(jù)在所述第一方向上的位置而具有相同的相變斜率符號(hào)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超穎光學(xué)器件，其中：

在所述第k相位調(diào)制區(qū)域中的所述多個(gè)納米結(jié)構(gòu)中，最靠近所述補(bǔ)償區(qū)域的納米結(jié)構(gòu)在所述第一方向上的寬度為w_a，

在所述第(k+1)相位調(diào)制區(qū)域中的所述多個(gè)納米結(jié)構(gòu)中，最靠近所述補(bǔ)償區(qū)域的納米結(jié)構(gòu)在所述第一方向上的寬度為w_b，并且

所述補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的寬度w_c在w_a和w_b之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超穎光學(xué)器件，其中，所述補(bǔ)償結(jié)構(gòu)包括在所述第一方向上具有相同寬度并且沿所述第一方向布置的兩個(gè)或更多個(gè)補(bǔ)償結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超穎光學(xué)器件，其中，所述補(bǔ)償結(jié)構(gòu)包括沿所述第一方向布置的兩個(gè)或更多個(gè)補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，并且

其中，所述兩個(gè)或更多個(gè)補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的寬度隨著在所述第一方向上從w_a到w_b的變化模式而逐漸變化。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超穎光學(xué)器件，其中：

所述多個(gè)相位調(diào)制區(qū)域具有圓形形狀或圍繞所述圓形形狀的環(huán)形形狀，并且

所述第一方向是從所述圓形形狀的中心朝所述超穎光學(xué)器件的邊界延伸的徑向。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的超穎光學(xué)器件，其中，當(dāng)所述多個(gè)相位調(diào)制區(qū)域按照從所述中心開始的順序是第m區(qū)域并且m大于或等于2且從2增大至N時(shí)，所述第m區(qū)域全部都在所述徑向上具有從第一相位到第二相位的相位調(diào)制范圍，并且

其中，所述第一相位和所述第二相位之差為2π或更小。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的超穎光學(xué)器件，其中，所述多個(gè)相位調(diào)制區(qū)域在所述徑向上的寬度在從所述中心到所述超穎光學(xué)器件的邊界的方向上減小。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的超穎光學(xué)器件，其中：

所述補(bǔ)償區(qū)域包括多個(gè)補(bǔ)償區(qū)域，并且

沿所述徑向布置的所述多個(gè)補(bǔ)償區(qū)域的寬度具有相同的值或在從所述中心到所述超穎光學(xué)器件的邊界的方向上減小。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的超穎光學(xué)器件，其中：

所述補(bǔ)償區(qū)域包括多個(gè)補(bǔ)償區(qū)域，并且

在所述多個(gè)相位調(diào)制區(qū)域和所述多個(gè)補(bǔ)償區(qū)域之中的處于彼此相鄰的位置處的相位調(diào)制區(qū)域和補(bǔ)償區(qū)域中，所述補(bǔ)償區(qū)域的寬度與所述相位調(diào)制區(qū)域的寬度的比在從所述中心到所述超穎光學(xué)器件的邊界的方向上增大。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的超穎光學(xué)器件，其中，所述比為25％或更小。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的超穎光學(xué)器件，其中：

所述補(bǔ)償區(qū)域包括多個(gè)補(bǔ)償區(qū)域，并且

所述多個(gè)補(bǔ)償區(qū)域的數(shù)量與所述多個(gè)相位調(diào)制區(qū)域的數(shù)量的比為50％或更大。