[發明專利]半導體結構及其制作方法

在審

• 申請號: 202110779623.3
• 申請日: 2021-07-09
• 公開（公告）號: CN115602648A
• 公開（公告）日: 2023-01-13
• 發明（設計）人: 張書浩;李寧
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/768;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 郭鳳杰

本發明涉及一種半導體結構及其制作方法，其中，半導體結構包括基底、接觸孔、阻擋層以及導電接觸結構，基底包括有源區，有源區內形成有漏區以及源區；接觸孔自基底的表面向源區和/或漏區延伸；阻擋層位于導電接觸結構底面；導電接觸結構填充接觸孔，且包括接觸層，接觸層接觸源區和/或漏區。本發明可以有效增大源漏電流。

技術領域

本申請涉及集成電路技術領域，特別是涉及一種半導體結構及其制作方法。

背景技術

金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)等元器件作為半導體制造工藝中的常用器件，其通常會在有源區內進行重摻雜而形成源區以及漏區，且會形成深入源區以及漏區的導電接觸結構，從而實現將源區與漏區之間電流(導通電流)與外部的連通。

但是，在實際產品中，常會出現因導電接觸結構導致導通電流較小、漏電流較大的問題。

發明內容

基于此，提供一種半導體結構及其制作方法，可以改善導電接觸結構，提高器件性能。

為了實現上述目的，本發明提供了一種半導體結構，包括基底、接觸孔、阻擋層以及導電接觸結構，

所述基底包括有源區，所述有源區內形成有漏區以及源區；

所述接觸孔自所述基底的表面向所述源區和/或所述漏區延伸；

所述阻擋層位于所述導電接觸結構底面；

所述導電接觸結構填充所述接觸孔，且包括接觸層，所述接觸層接觸所述源區和/或所述漏區。

在其中一個實施例中，所述基底包括襯底以及介質層，所述襯底包括所述有源區，所述介質層位于所述襯底上，所述接觸孔自所述介質層的表面向所述源區和/或所述漏區延伸。

在其中一個實施例中，所述阻擋層位于所述接觸孔內部。

在其中一個實施例中，所述接觸孔自所述基底表面延伸至所述源區和/或所述漏區下方的所述有源區，所述阻擋層覆蓋所述接觸孔延伸至所述源區和/或所述漏區外部的所述有源區內的部分。

在其中一個實施例中，所述接觸層位于所述接觸孔與所述源區和/或所述漏區之間。

在其中一個實施例中，所述導電接觸結構還包括導電金屬結構，所述導電金屬結構填充所述接觸孔，且所述接觸層位于所述導電金屬結構與所述源區和/或所述漏區之間，所述阻擋層位于所述導電金屬結構與位于所述接觸孔下方的所述有源區之間。

在其中一個實施例中，所述導電金屬結構的材料為鎢、鉬、鋁中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述接觸層的材料為金屬硅化物。

一種半導體結構的制作方法，包括：

提供基底，所述基底包括有源區，所述有源區內形成有漏區以及源區；

于所述基底內形成接觸孔，所述接觸孔自所述基底的表面向所述源區和/或所述漏區延伸；

形成阻擋層；

形成導電接觸結構；

其中，所述阻擋層位于所述導電接觸結構底面，所述導電接觸結構填充所述接觸孔，且包括接觸層，所述接觸層接觸所述源區和/或所述漏區。

在其中一個實施例中，所述基底包括襯底以及介質層，所述襯底包括所述有源區，所述介質層位于所述襯底上，所述接觸孔自所述介質層的表面向所述源區和/或所述漏區延伸。

在其中一個實施例中，所述阻擋層位于所述接觸孔內部。

在其中一個實施例中，所述形成阻擋層，包括：