[發明專利]一種發光二極管及其制作方法有效
| 申請號： | 202110777409.4 | 申請日： | 2021-07-09 |
| 公開（公告）號： | CN113540301B | 公開（公告）日： | 2022-12-16 |
| 發明（設計）人： | 周宏敏;唐超;王瑜;董金礦;李政鴻;林兓兓 | 申請（專利權）人： | 安徽三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 及其 制作方法 | ||
1.一種發光二極管，至少包括襯底，以及依次層疊于所述襯底之上的第一半導體層、應力釋放層、有源層和第二半導體層，
其特征在于，所述第一半導體層與所述應力釋放層之間設有不含Al且不含In的第三半導體層，所述第三半導體層與應力釋放層之間設有含Al的第四半導體層，所述第四半導體層的Al組分含量為0.1%~10%，所述第四半導體層與第三半導體層的厚度比為1:5~1:100。
2.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于，所述第四半導體層與第三半導體層的厚度比為1:10~1:60。
3.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于，所述第三半導體層的厚度范圍為30nm~100nm。
4.根據權利要求3所述的一種發光二極管，其特征在于，所述第三半導體層的厚度范圍為30nm~60nm。
5.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于，所述第四半導體層的厚度范圍為1nm~6nm。
6.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于，所述第三半導體層為非故意摻雜或者N型摻雜的GaN層。
7.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于，所述第四半導體層包括分子式AlxInyGa1-x-yN表示的化合物，其中， 0＜x≤1，0≤y≤1。
8.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于，所述第四半導體層靠近第三半導體層一側的Al組分最高，靠近應力釋放層一側的Al組分最低。
9.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于：所述第四半導體層為單層結構或者多層結構。
10.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于，所述第四半導體層的Al組分由第三半導體層至應力釋放層的方向上逐漸減小。
11.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于，所述襯底和第一半導體層之間還包括緩沖層。
12.一種發光二極管的制作方法，包括如下步驟：
提供一襯底；
在所述襯底上生長第一半導體層；
在所述第一半導體層上生長不含Al且不含In的第三半導體層；
在所述第三半導體層上生長含Al的第四半導體層，所述第四半導體層的Al組分含量為0.1%~10%，所述第四半導體層與第三半導體層的厚度比為1:5~1:100；
在第四半導體層上依次生長應力釋放層、有源層和第二半導體層。
13.根據權利要求12所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于，所述第三半導體層的生長溫度為700~800℃，第四半導體層的生長溫度為650~800℃。
14.根據權利要求12所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于，所述第三半導體層和第四半導體層的生長壓力相同或者不同。
15.根據權利要求12所述的一種發光二極管的制作方法，其特征在于，所述第三半導體層和第四半導體層的生長壓力均為100~300Torr。
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