[發明專利]可調控的介質手性納米增強裝置及系統

有效

• 申請號: 202110773209.1
• 申請日: 2021-07-08
• 公開（公告）號: CN113504184B
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發明（設計）人: 王勇凱;董軍;王倩穎;李知多
• 申請（專利權）人: 西安郵電大學
• 主分類號: G01N21/19
• 分類號: G01N21/19;G01N21/21;B82Y20/00;B82Y15/00
• 代理公司: 重慶萃智邦成專利代理事務所(普通合伙) 50231
• 代理人: 許攀

1.一種可調控的介質手性納米增強裝置，其特征在于，所述裝置包括：基底、介質層、二硫化物層和復合結構層；所述介質層設置在所述基底的一側，所述二硫化物層設置在所述介質層遠離所述基底的一側，所述復合結構層設置在所述二硫化物層遠離所述基底的一側，所述復合結構層包括多個納米結構部，每個所述納米結構部均包括第一納米棒、第二納米棒、第三納米棒、第四納米棒和第五納米棒，所述第二納米棒、所述第三納米棒、所述第四納米棒和所述第五納米棒均傾斜設置在所述第一納米棒的側壁上，且所述第二納米棒、所述第三納米棒、所述第四納米棒和所述第五納米棒中至少一個的材料為相變材料；其中，所述第二納米棒和所述第三納米棒設置在所述第一納米棒的同一側，且所述第二納米棒和所述第三納米棒與所述第一納米棒之間的夾角相同，所述第四納米棒和所述第五納米棒設置在所述第一納米棒的另一側，且所述第四納米棒和所述第五納米棒與所述第一納米棒之間的夾角相同。

2.根據權利要求1所述的可調控的介質手性納米增強裝置，其特征在于，所述納米結構部的平行于所述第一納米棒的軸向長度為460nm-500nm，所述納米結構部的垂直于所述第一納米棒的軸向長度為460nm-480nm。

3.根據權利要求2所述的可調控的介質手性納米增強裝置，其特征在于，所述第二納米棒和所述第三納米棒同一點之間的距離為140nm-190nm。

4.根據權利要求3所述的可調控的介質手性納米增強裝置，其特征在于，所述第四納米棒和所述第五納米棒同一點之間的距離為140nm-190nm。

5.根據權利要求4所述的可調控的介質手性納米增強裝置，其特征在于，所述第二納米棒的長度與所述第三納米棒的長度不相等，所述第四納米棒的長度與所述第五納米棒的長度不相等。

6.根據權利要求5所述的可調控的介質手性納米增強裝置，其特征在于，所述第二納米棒、所述第三納米棒、所述第四納米棒和所述第五納米棒與所述第一納米棒的側壁的夾角均為45度。

7.根據權利要求6所述的可調控的介質手性納米增強裝置，其特征在于，所述二硫化物層的材料為MoS₂和/或WS₂。

8.根據權利要求7所述的可調控的介質手性納米增強裝置，其特征在于，所述基底的材料為金和/或銀。

9.根據權利要求8所述的可調控的介質手性納米增強裝置，其特征在于，所述第一納米棒的材料為高折射率材料。

10.一種可調控的介質手性納米增強系統，其特征在于，所述系統包括：溫度控制裝置、手性分子溶液、光譜儀和權利要求1-9任意一項所述的可調控的介質手性納米增強裝置，所述溫度控制裝置設置在所述裝置的復合結構層的外部，用于改變所述復合結構層的溫度，所述分子溶液填充設置在所述復合結構層的縫隙中，所述光譜儀用于對所述裝置的出射光的光譜進行檢測。