[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、晶體管器件、及形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法

在審

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• 申請日: 2021-07-08
• 公開（公告）號: CN113629138A
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇柏智;柳瑞興;王培倫;李佳叡;周君冠
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

溝道區(qū)域；

源極區(qū)域，與所述溝道區(qū)域相鄰；

漏極區(qū)域；

漂移區(qū)域，與所述漏極區(qū)域相鄰；以及

雙柵極結(jié)構(gòu)，所述雙柵極結(jié)構(gòu)包括：

第一柵極結(jié)構(gòu)，位于所述溝道區(qū)域的一部分和所述漂移區(qū)域的一部分上方；和

第二柵極結(jié)構(gòu)，位于所述漂移區(qū)域上方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括與所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)接觸的內(nèi)部間隔件。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述內(nèi)部間隔件包括氣隙。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述內(nèi)部間隔件包括非平面頂面。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述內(nèi)部間隔件與所述漂移區(qū)域接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括與所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)接觸的柵極介電層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括與所述柵極介電層的頂面接觸并形成在所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)之間的內(nèi)部間隔件。

8.一種晶體管器件，包括：

源極區(qū)域；

漏極區(qū)域；

溝道區(qū)域，介于所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域之間；

漂移區(qū)域，介于所述漏極區(qū)域和所述溝道區(qū)域之間；

柵極介電層，與所述溝道區(qū)域和所述漂移區(qū)域接觸；以及

雙柵極結(jié)構(gòu)，位于所述柵極介電層上方，所述雙柵極結(jié)構(gòu)包括：

第一柵極結(jié)構(gòu)，位于所述溝道區(qū)域和所述漂移區(qū)域上方，其中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)包括第一柵極長度；和

第二柵極結(jié)構(gòu)，位于所述漂移區(qū)域上方，其中，所述第二柵極結(jié)構(gòu)包括第二柵極長度。

9.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：

在襯底中形成溝道區(qū)域和漂移區(qū)域；

在所述溝道區(qū)域、所述漂移區(qū)域和所述襯底的頂面上沉積柵極介電層；

在所述柵極介電層上沉積柵極材料；

蝕刻所述柵極材料以形成雙柵極結(jié)構(gòu)，包括：

第一柵極結(jié)構(gòu)，位于所述溝道區(qū)域和所述漂移區(qū)域上方，其中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)包括第一柵極長度；和

第二柵極結(jié)構(gòu)，位于所述漂移區(qū)域上方，其中，所述第二柵極結(jié)構(gòu)包括第二柵極長度；

蝕刻所述柵極介電層；

在所述雙柵極結(jié)構(gòu)的外側(cè)壁上形成外部間隔件；以及

形成與所述第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)接觸的內(nèi)部間隔件。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，形成內(nèi)部間隔件包括：

在所述第一和第二柵極結(jié)構(gòu)之間的開口中沉積介電材料；

將所述介電材料匯聚在所述開口的頂部處；以及

將氣團(tuán)封閉在所述第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)之間的介電材料內(nèi)。