[發明專利]可控動態偏置功率放大器

在審

• 申請號: 202110772357.1
• 申請日: 2021-07-08
• 公開（公告）號: CN113452331A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 何世海;彭鳳雄;王翰青;董鑄祥;阮正坤;孟浩;錢永學;蔡光杰;黃鑫
• 申請（專利權）人: 北京昂瑞微電子技術股份有限公司
• 主分類號: H03F3/21
• 分類號: H03F3/21;H03F3/19
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 梁棟國

1.一種可控動態偏置功率放大器，包括：

輸入匹配電路，其用于接收輸入信號，并且將匹配后的輸入信號提供給功率放大電路，

偏置電路，其被配置為與第一偏置電源、第二偏置電源以及第一供電電源連接，并且向功率放大電路提供動態配置電壓，

功率放大電路，其被配置為連接到輸入匹配電路以接收匹配后的輸入信號，以及連接到匹配電路，以接收動態匹配電壓，以及

輸出匹配電路，其被配置為與功率放大電路連接，以輸出匹配的輸出信號。

2.根據權利要求1所述的可控動態偏置功率放大器，其中，所述偏置電路包括：

鏡像晶體管，其被配置為使得其集電極與第一偏置電源和第二偏置電源連接，以分別從所述第一偏置電源和第二偏置電源接收電流，所述鏡像晶體管的基極與供電晶體管的發射極連接，并且所述鏡像晶體管的發射極與接地節點連接，

供電晶體管，其被配置為使得其集電極與第一供電電源，以從所述第一供電電源接收電流，所述供電晶體管的基極與鏡像晶體管的集電極連接，并且所述供電晶體管的發射極與偏置電阻器的一端連接，以及

偏置電阻器，其被配置為使得其一端與所述供電晶體管的發射極連接，并且其另一端與功率放大電路連接，以為功率放大電路提供偏置。

3.根據權利要求2所述的可控動態偏置功率放大器，其中，所述偏置電路還包括：第一電阻器，其被配置為一端連接到所述鏡像晶體管的基極，并且其另一端連接到所述供電晶體管的發射極。

4.根據權利要求2所述的可控動態偏置功率放大器，其中，所述偏置電路還包括：第一電容器，其被配置為一端連接到所述供電晶體管的基極，并且其另一端連接到接地節點。

5.根據權利要求2所述的可控動態偏置功率放大器，其中，所述偏置電路還包括：第二電阻器，其被配置為一端連接到所述鏡像晶體管的集電極，并且其另一端連接到所述供電晶體管的基極。

6.根據權利要求2所述的可控動態偏置功率放大器，其中，所述偏置電路還包括：第四電阻器，其被配置為連接在所述第一偏置電源和所述所述鏡像晶體管的集電極之間，以將電流提供到所述鏡像晶體管。

7.根據權利要求2所述的可控動態偏置功率放大器，其中，所述偏置電路還包括：

第五電阻器，其被配置為一端與所述第二偏置電源連接，并且其另一端與第三電阻器連接，

第三電阻器，其被配置為一端與所述第五電阻器連接，并且其另一端與所述鏡像晶體管的集電極連接，以及

第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管和第二晶體管串聯連接在所述第五電阻器的一端和接地節點之間。

8.根據權利要求2所述的可控動態偏置功率放大器，其中，所述偏置電路還包括：

第五電阻器，其被配置為一端與所述第二偏置電源連接，并且其另一端連接到所述鏡像晶體管的集電極，

第三電阻器，其被配置為一端與所述鏡像晶體管的基極連接，并且其另一端與第三電容器的一端連接，以及

第三電容器，其被配置為一端與所述第三電阻器連接，并且其另一端連接到所述輸入匹配電路。

9.根據權利要求1所述的可控動態偏置功率放大器，其中，所述功率放大電路包括功率放大晶體管，其中，所述功率放大晶體管被配置為使得其基極連接到所述輸入匹配電路，其集電極連接到第二供電電源，并且其發射極連接到接地節點。

10.根據權利要求9所述的可控動態偏置功率放大器，其中，所述功率放大電路還包括第一電感器，所述第一電感器被配置為其一端連接到所述第二供電電源，并且其另一端連接到所述功率放大晶體管的集電極。

11.根據權利要求2所述的可控動態偏置功率放大器，其中，所述鏡像晶體管和所述供電晶體管包括HBT晶體管、CMOS晶體管、BJT晶體管、BiCMOS晶體管以及GaN晶體管中的至少一個。