[發明專利]感測裝置有效
| 申請號: | 202110771647.4 | 申請日: | 2021-07-08 |
| 公開(公告)號: | CN113569661B | 公開(公告)日: | 2023-06-30 |
| 發明(設計)人: | 高逸群 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | G06V40/13 | 分類號: | G06V40/13 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 黃艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 | ||
1.一種感測裝置,包括:
發光面板,適于發出第一波形的初始光;以及
感測像素陣列結構,位于所述發光面板的背側,其中
所述感測像素陣列結構包含:
多個第一感測像素結構,各所述第一感測像素結構包括第一感測元件,且各所述第一感測像素結構以所述第一波形的所述初始光作為第一感測光提供給所述第一感測元件感測,其中所述多個第一感測像素結構占整體所述感測像素陣列結構的配置面積比例為90%以上但未達100%;以及
至少一第二感測像素結構,所述至少一第二感測像素結構包括第二感測元件以及光轉換層,所述光轉換層位于所述第二感測元件與所述發光面板之間,且所述至少一第二感測像素結構適于將所述第一波形的所述初始光調整成第二感測光以提供給所述第二感測元件感測,且所述第二感測光具有的第二波形不同于所述第一波形,
所述光轉換層具有激發峰值波長且所述激發峰值波長在400nm至750nm的范圍內,
其中所述第二感測光包括經由所述光轉換層轉換所述第一波形的所述初始光的一部分而獲得的轉換光以及通過所述光轉換層但未經所述光轉換層轉換過的所述第一波形的所述初始光的另一部分。
2.如權利要求1所述的感測裝置,其中所述光轉換層包含量子點。
3.如權利要求1所述的感測裝置,其中所述至少一第二感測像素結構還包括按序疊置于所述第二感測元件上的光準直結構與透鏡。
4.如權利要求3所述的感測裝置,其中所述至少一第二感測像素結構的所述光轉換層位于所述透鏡及所述感測元件之間。
5.如權利要求3所述的感測裝置,其中所述至少一第二感測像素結構的所述光轉換層位于所述發光面板及所述透鏡之間。
6.如權利要求1所述的感測裝置,還包含至少一第三感測像素結構,所述至少一第三感測像素結構包括第三感測元件以及彩色濾光層,所述彩色濾光層位于所述第三感測元件與所述發光面板之間,且所述至少一第三感測像素結構適于將所述第一波形的所述初始光調整成第三感測光以提供給所述第三感測元件感測,且所述第三感測光具有的第三波形不同于所述第一波形。
7.如權利要求6所述的感測裝置,其中所述至少一第二感測像素結構與所述至少一第三感測像素結構占整體所述感測像素陣列結構的配置面積比例為少于10%,但超過0%。
8.如權利要求1所述的感測裝置,其中所述第一波形在400nm至700nm的波長范圍內。
9.一種感測裝置,包括:
發光面板,適于發出第一波形的初始光,
感測像素陣列結構,包含成陣列排列的多個第一感測像素結構以及至少一第二感測像素結構,其中,
所述多個第一感測像素結構占整體所述感測像素陣列結構的配置面積比例為90%以上但未達100%,
各所述第一感測像素結構包括第一感測元件,且各所述第一感測像素結構以所述第一波形的所述初始光作為第一感測光提供給所述第一感測元件感測,且
所述至少一第二感測像素結構包括第二感測元件,且所述至少一第二感測像素結構適于將所述第一波形的所述初始光調整成第二感測光以提供給所述第二感測元件感測,且所述第二感測光具有的第二波形不同于所述第一波形,
其中所述第二感測光包括經由光轉換層轉換所述第一波形的所述初始光的一部分而獲得的轉換光以及通過所述光轉換層但未經所述光轉換層轉換過的所述第一波形的所述初始光的另一部分。
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