[發明專利]一種氧化鎵日盲紫外探測器在審
| 申請號: | 202110771147.0 | 申請日: | 2021-07-08 |
| 公開(公告)號: | CN113659029A | 公開(公告)日: | 2021-11-16 |
| 發明(設計)人: | 劉寧濤;張文瑞;葉繼春 | 申請(專利權)人: | 中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
| 主分類號: | H01L31/103 | 分類號: | H01L31/103;H01L31/032;H01L31/0352 |
| 代理公司: | 寧波甬致專利代理有限公司 33228 | 代理人: | 胡天人 |
| 地址: | 315191 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氧化 鎵日盲 紫外 探測器 | ||
1.一種氧化鎵日盲紫外探測器,其特征在于,包括襯底層、氧化鎵層、鈍化層、鐵電層和電極層,所述氧化鎵層設置在所述襯底層的表面,所述鈍化層設置在所述氧化鎵層的表面,所述鐵電層設置在所述鈍化層的表面,所述鐵電層覆蓋部分所述鈍化層,所述電極層與所述氧化鎵層接觸。
2.根據權利要求1所述的氧化鎵日盲紫外探測器,其特征在于,所述鐵電層覆蓋于所述鈍化層的一個連續區域,所述電極層包括設置在所述鈍化層兩側的電極,所述鐵電層與一側所述電極接觸。
3.根據權利要求1所述的氧化鎵日盲紫外探測器,其特征在于,所述鐵電層覆蓋于所述鈍化層的一個連續區域,所述電極層包括設置在所述鈍化層兩側的電極,所述鐵電層與兩側所述電極均不接觸。
4.根據權利要求1所述的氧化鎵日盲紫外探測器,其特征在于,所述鐵電層覆蓋于所述鈍化層的多個非連續區域。
5.根據權利要求1-4任一所述的氧化鎵日盲紫外探測器,其特征在于,所述鐵電層覆蓋1/3-2/3的所述鈍化層。
6.根據權利要求1-4任一所述的氧化鎵日盲紫外探測器,其特征在于,所述鐵電層的材料選自Pb(Zr,Ti)O3基鐵電材料、BaTiO3基鐵電材料、BiFeO3基鐵電材料、(Bi,Na)TiO3基鐵電材料或聚偏氟乙烯基聚化物中的一種。
7.根據權利要求6所述的氧化鎵日盲紫外探測器,其特征在于,所述鐵電層的厚度介于20nm-300nm。
8.根據權利要求1-4任一所述的氧化鎵日盲紫外探測器,其特征在于,所述鈍化層的材料選自Si3N4、SiO2、Al2O3、HfO2中的一種。
9.根據權利要求8所述的氧化鎵日盲紫外探測器,其特征在于,所述鈍化層的厚度介于5nm-100nm。
10.根據權利要求1-4任一所述的氧化鎵日盲紫外探測器,其特征在于,所述氧化鎵層的材料選自非晶氧化鎵、多晶氧化鎵、單晶氧化鎵中的一種,所述襯底層的材料選自單晶Ga2O3、藍寶石Al2O3、GaN、AlN、石英、單晶硅中的一種,所述電極的材料選自Ti、Al、Ni、Au、Mo、Pt中的一種或多種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





